Wafferi SOI

Disgrifiad Byr:

Mae'r wafer SOI yn strwythur tebyg i frechdan gyda thair haen; Gan gynnwys yr haen uchaf (haen dyfais), canol yr haen ocsigen claddedig (ar gyfer yr haen inswleiddio SiO2) a'r swbstrad gwaelod (swmp silicon). Cynhyrchir wafferi SOI gan ddefnyddio dull SIMOX a thechnoleg bondio wafferi, sy'n caniatáu ar gyfer haenau dyfais deneuach a mwy cywir, trwch unffurf a dwysedd diffyg isel.

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Wafferi SOI(1)

Maes cais

1. Cylched integredig cyflym

2. Dyfeisiau microdon

3. Cylched integredig tymheredd uchel

4. dyfeisiau pŵer

5. cylched integredig pŵer isel

6. MEMS

7. cylched integredig foltedd isel

Eitem		Dadl
At ei gilydd	Diamedr Wafer 晶圆尺寸(mm)	50/75/100/125/150/200mm±25um
	Bwa/Ystof 翘曲度(	<10um
	Gronynnau 颗粒度(	0.3um<30ea
	Fflatiau/rhicyn 定位边/定位槽	Fflat neu Ric
	Gwahardd Ymyl 边缘去除(mm)	/
Haen Dyfais 器件层	Dyfais-haen Math / Dopant 器件层掺杂类型	Math N/Math-P B/ P/ Sb / Fel
	Cyfeiriadedd Dyfais-haen 器件层晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Dyfais-haen Trwch 器件层厚度(um)	0.1 ~ 300wm
	Gwrthiant Dyfais-haen 器件层电阻率(ohm•cm)	0.001 ~ 100,000 ohm-cm
	Dyfais-haen Gronynnau 器件层颗粒度(	<30ea@0.3
	Teledu Haen Dyfais 器件层TTV(	<10um
	Gorffen Haen Dyfais 器件层表面处理	sgleinio
BLWCH	Trwch Ocsid Thermol Claddedig 埋氧层厚度(um)	50nm(500Å) ~ 15um
Haen Trin 衬底	Trin Math Wafer / Dopant 衬底层类型	Math N/Math-P B/ P/ Sb / Fel
	Trin Cyfeiriadedd Wafferi 衬底晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Trin Gwrthiant Wafferi 衬底电阻率(ohm•cm)	0.001 ~ 100,000 ohm-cm
	Trin Trwch Wafer 衬底厚度(um)	>100wm
	Trin Gorffen Wafferi 衬底表面处理	sgleinio
Gellir addasu wafferi SOI o fanylebau targed yn unol â gofynion y cwsmer.