Gwneuthurwyr, Cyflenwyr, Ffatri Wafer Tsieina
Beth yw'r wafer lled-ddargludyddion?
Mae wafer lled-ddargludyddion yn dafell denau, gron o ddeunydd lled-ddargludyddion sy'n gwasanaethu fel y sylfaen ar gyfer cynhyrchu cylchedau integredig (ICs) a dyfeisiau electronig eraill. Mae'r wafer yn darparu arwyneb gwastad ac unffurf y mae gwahanol gydrannau electronig yn cael eu hadeiladu arno.
Mae'r broses o weithgynhyrchu wafers yn cynnwys sawl cam, gan gynnwys tyfu crisial sengl mawr o'r deunydd lled-ddargludyddion a ddymunir, sleisio'r grisial yn wafers tenau gan ddefnyddio llif diemwnt, ac yna sgleinio a glanhau'r wafers i gael gwared ar unrhyw ddiffygion neu amhureddau arwyneb. Mae gan y wafers sy'n deillio o hyn arwyneb gwastad a llyfn iawn, sy'n hanfodol ar gyfer y prosesau gweithgynhyrchu dilynol.
Unwaith y bydd y waferi wedi'u paratoi, maent yn mynd trwy gyfres o brosesau gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion, fel ffotolithograffeg, ysgythru, dyddodiad, a dopio, i greu'r patrymau a'r haenau cymhleth sydd eu hangen i adeiladu cydrannau electronig. Mae'r prosesau hyn yn cael eu hailadrodd sawl gwaith ar un wafer i greu cylchedau integredig lluosog neu ddyfeisiau eraill.
Ar ôl i'r broses weithgynhyrchu gael ei chwblhau, caiff y sglodion unigol eu gwahanu trwy dorri'r wafer ar hyd llinellau wedi'u diffinio ymlaen llaw. Yna caiff y sglodion sydd wedi'u gwahanu eu pecynnu i'w hamddiffyn a darparu cysylltiadau trydanol ar gyfer integreiddio i ddyfeisiau electronig.
Deunyddiau gwahanol ar wafer
Gwneir wafferi lled-ddargludyddion yn bennaf o silicon un grisial oherwydd ei helaethrwydd, ei briodweddau trydanol rhagorol, a'i gydnawsedd â phrosesau gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion safonol. Fodd bynnag, yn dibynnu ar gymwysiadau a gofynion penodol, gellir defnyddio deunyddiau eraill hefyd i wneud wafferi. Dyma rai enghreifftiau:
Mae silicon carbid (SiC) yn ddeunydd lled-ddargludyddion â bwlch band eang sy'n cynnig priodweddau ffisegol gwell o'i gymharu â deunyddiau traddodiadol. Mae'n helpu i leihau maint a phwysau dyfeisiau arwahanol, modiwlau, a hyd yn oed systemau cyfan, wrth wella effeithlonrwydd.
Nodweddion Allweddol SiC:
- -Bwlch Band Eang:Mae bwlch band SiC tua thair gwaith yn fwy na silicon, gan ganiatáu iddo weithredu ar dymheredd uwch, hyd at 400°C.
- -Maes Dadansoddiad Critigol Uchel:Gall SiC wrthsefyll hyd at ddeg gwaith maes trydanol silicon, gan ei wneud yn ddelfrydol ar gyfer dyfeisiau foltedd uchel.
- -Dargludedd Thermol Uchel:Mae SiC yn gwasgaru gwres yn effeithlon, gan helpu dyfeisiau i gynnal tymereddau gweithredu gorau posibl ac ymestyn eu hoes.
- -Cyflymder Drifft Electron Dirlawnder Uchel:Gyda chyflymder drifft dwbl cymaint â silicon, mae SiC yn galluogi amleddau newid uwch, gan gynorthwyo i leihau dyfeisiau.
Ceisiadau:
-
-Electroneg Pŵer:Mae dyfeisiau pŵer SiC yn rhagori mewn amgylcheddau foltedd uchel, cerrynt uchel, tymheredd uchel ac amledd uchel, gan wella effeithlonrwydd trosi ynni yn sylweddol. Fe'u defnyddir yn helaeth mewn cerbydau trydan, gorsafoedd gwefru, systemau ffotofoltäig, cludiant rheilffordd a gridiau clyfar.
-
-Cyfathrebu Microdon:Mae dyfeisiau RF GaN sy'n seiliedig ar SiC yn hanfodol ar gyfer seilwaith cyfathrebu diwifr, yn enwedig ar gyfer gorsafoedd sylfaen 5G. Mae'r dyfeisiau hyn yn cyfuno dargludedd thermol rhagorol SiC ag allbwn RF amledd uchel, pŵer uchel GaN, gan eu gwneud y dewis a ffefrir ar gyfer rhwydweithiau telathrebu amledd uchel y genhedlaeth nesaf.
Galliwm nitrid (GaN)yn ddeunydd lled-ddargludyddion bandgap eang trydydd cenhedlaeth gyda bandgap mawr, dargludedd thermol uchel, cyflymder drifft dirlawnder electronau uchel, a nodweddion maes chwalfa rhagorol. Mae gan ddyfeisiau GaN ragolygon cymhwysiad eang mewn meysydd amledd uchel, cyflymder uchel, a phŵer uchel fel goleuadau arbed ynni LED, arddangosfeydd taflunio laser, cerbydau trydan, gridiau clyfar, a chyfathrebu 5G.
Galliwm arsenid (GaAs)yn ddeunydd lled-ddargludyddion sy'n adnabyddus am ei amledd uchel, symudedd electronau uchel, allbwn pŵer uchel, sŵn isel, a llinoledd da. Fe'i defnyddir yn helaeth mewn diwydiannau optoelectroneg a microelectroneg. Mewn optoelectroneg, defnyddir swbstradau GaAs i gynhyrchu LED (deuodau allyrru golau), LD (deuodau laser), a dyfeisiau ffotofoltäig. Mewn microelectroneg, fe'u defnyddir wrth gynhyrchu MESFETs (transistorau effaith maes lled-ddargludyddion metel), HEMTs (transistorau symudedd electronau uchel), HBTs (transistorau deubegwn hetero-gyffordd), ICs (cylchedau integredig), deuodau microdon, a dyfeisiau effaith Hall.
Indiwm ffosffid (InP)yn un o'r lled-ddargludyddion cyfansawdd III-V pwysig, sy'n adnabyddus am ei symudedd electronau uchel, ei wrthwynebiad ymbelydredd rhagorol, a'i fwlch band eang. Fe'i defnyddir yn helaeth yn y diwydiannau optoelectroneg a microelectroneg.
Gofynnwch am Ddyfynbris Wafer
Anfonwch eich deunydd wafer, diamedr, trwch, math o ddargludedd, gwrthedd, cyfeiriadedd crisial, gofynion arwyneb a maint atom. Bydd Semicera yn adolygu'r cyfluniad gofynnol ac yn darparu cefnogaeth dewis cynnyrch a dyfynbris yn seiliedig ar y manylebau sydd ar gael.
