Cludwr Graffit wedi'i Gorchuddio â SiC Bywyd Hir ar gyfer Wafer Solar

Disgrifiad Byr:

Mae silicon carbid yn fath newydd o gerameg gyda pherfformiad cost uchel a phriodweddau deunydd rhagorol. Oherwydd nodweddion fel cryfder a chaledwch uchel, ymwrthedd tymheredd uchel, dargludedd thermol gwych a gwrthiant cyrydiad cemegol, gall Silicon Carbide wrthsefyll bron pob cyfrwng cemegol. Felly, defnyddir SiC yn helaeth mewn mwyngloddio olew, cemegol, peiriannau a gofod awyr, hyd yn oed ynni niwclear ac mae gan y fyddin eu gofynion arbennig ar SIC. Mae rhai cymwysiadau arferol y gallwn eu cynnig yn cynnwys cylchoedd selio ar gyfer pympiau, falfiau ac arfwisgoedd amddiffynnol ac ati.

Anfonwch e-bost atom ni

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Manteision

Gwrthiant ocsideiddio tymheredd uchel
Gwrthiant cyrydiad rhagorol
Gwrthiant crafiad da
Cyfernod uchel o ddargludedd gwres
Hunan-iro, dwysedd isel
Caledwch uchel
Dyluniad wedi'i addasu.

Cymwysiadau

-Maes sy'n gwrthsefyll gwisgo: bwshio, plât, ffroenell tywod-chwythu, leinin seiclon, casgen malu, ac ati ...
-Maes Tymheredd Uchel: Slab siC, Tiwb Ffwrnais Diffodd, Tiwb Ymbelydrol, croeslin, Elfen Wresogi, Rholer, Trawst, Cyfnewidydd Gwres, Pibell Aer Oer, Ffroenell Llosgydd, Tiwb Diogelu Thermocwl, cwch SiC, Strwythur car odyn, Gosodwr, ac ati.
-Lled-ddargludyddion Silicon Carbid: cwch wafer SiC, ciwc sic, padl sic, casét sic, tiwb trylediad sic, fforc wafer, plât sugno, llwybr canllaw, ac ati.
-Maes Sêl Silicon Carbid: pob math o gylch selio, dwyn, bushing, ac ati.
-Maes Ffotofoltäig: Padl Cantilever, Casgen Malu, Rholer Silicon Carbid, ac ati.
-Maes Batri Lithiwm

WAFER (1)

WAFER (2)

Priodweddau Ffisegol SiC

Eiddo	Gwerth	Dull
Dwysedd	3.21 g/cc	Sinc-arnof a dimensiwn
Gwres penodol	0.66 J/g °K	Fflach laser pwls
Cryfder plygu	450 MPa 560 MPa	Plyg 4 pwynt, plyg RT4 pwynt, 1300°
Caledwch toriad	2.94 MPa m1/2	Micro-fewnoliad
Caledwch	2800	Vicker's, llwyth 500g
Modiwlws ElastigModiwlws Young	450 GPa430 GPa	Plyg 4 pt, plyg RT4 pt, 1300 °C
Maint y grawn	2 – 10 µm	SEM

Priodweddau Thermol SiC

Dargludedd Thermol	250 W/m °K	Dull fflach laser, RT
Ehangu Thermol (CTE)	4.5 x 10-6 °K	Tymheredd ystafell i 950 °C, dilatomedr silica

Paramedrau Technegol

Eitem	Uned	Data
Eitem	Uned	RBSiC(SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
Cynnwys SiC	%	85	75	99	99.9	≥99
Cynnwys silicon am ddim	%	15	0	0	0	0
Tymheredd gwasanaeth uchaf	℃	1380	1450	1650	1620	1400
Dwysedd	g/cm³	3.02	2.75-2.85	3.08-3.16	2.65-2.75	2.75-2.85
Mandylledd agored	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Cryfder plygu 20 ℃	Мpa	250	160	380	100	/
Cryfder plygu 1200 ℃	Мpa	280	180	400	120	/
Modiwlws elastigedd 20 ℃	GPA	330	580	420	240	/
Modiwlws elastigedd 1200 ℃	GPA	300	/	/	200	/
Dargludedd thermol 1200 ℃	W/mK	45	19.6	100-120	36.6	/
Cyfernod ehangu thermol	K^-1X10^-6	4.5	4.7	4.1	4.69	/
HV	Kg/m^m2	2115	/	2800	/	/

Gall yr haen silicon carbid CVD ar wyneb allanol cynhyrchion ceramig silicon carbid wedi'u hailgrisialu gyrraedd purdeb o fwy na 99.9999% i ddiwallu anghenion cwsmeriaid yn y diwydiant lled-ddargludyddion.