Mae Semicera yn darparu haenau tantalwm carbid (TaC) arbenigol ar gyfer gwahanol gydrannau a chludwyr.Mae proses cotio flaenllaw Semicera yn galluogi cotiau tantalwm carbid (TaC) i gyflawni purdeb uchel, sefydlogrwydd tymheredd uchel a goddefgarwch cemegol uchel, gan wella ansawdd cynnyrch crisialau SIC/GAN a haenau EPI (Susceptor TaC wedi'i orchuddio â graffit), ac ymestyn oes cydrannau allweddol yr adweithydd. Mae defnyddio cotio TaC o dantwm carbid yn datrys y broblem ymyl ac yn gwella ansawdd twf crisialau, ac mae Semicera wedi datrys y dechnoleg cotio tantwm carbid (CVD) yn arloesi, gan gyrraedd y lefel uwch ryngwladol.
Gyda dyfodiad wafferi silicon carbid (SiC) 8 modfedd, mae'r gofynion ar gyfer amrywiol brosesau lled-ddargludyddion wedi dod yn fwyfwy llym, yn enwedig ar gyfer prosesau epitacsi lle gall tymereddau fod yn fwy na 2000 gradd Celsius. Mae deunyddiau derbynnydd traddodiadol, fel graffit wedi'i orchuddio â silicon carbid, yn tueddu i dyrchafu ar y tymereddau uchel hyn, gan amharu ar y broses epitacsi. Fodd bynnag, mae tantalwm carbid (TaC) CVD yn mynd i'r afael â'r mater hwn yn effeithiol, gan wrthsefyll tymereddau hyd at 2300 gradd Celsius a chynnig oes gwasanaeth hirach. Cysylltwch â Semicera's Rhannau Arferol Gorchudd CVD Tantalum Carbide TaCi archwilio mwy am ein datrysiadau uwch.
Ar ôl blynyddoedd o ddatblygiad, mae Semicera wedi concro technolegCVD TaCgyda chydymdrechion ar y cyd yr adran Ymchwil a Datblygu. Mae diffygion yn hawdd digwydd ym mhroses twf wafers SiC, ond ar ôl eu defnyddioTaC, mae'r gwahaniaeth yn arwyddocaol. Isod mae cymhariaeth o wafferi gyda a heb TaC, yn ogystal â rhannau Simicera ar gyfer twf crisial sengl.
gyda a heb TaC
Ar ôl defnyddio TaC (dde)
Ar ben hynny, Semicera'sCynhyrchion wedi'u gorchuddio â TaCarddangos bywyd gwasanaeth hirach a mwy o wrthwynebiad tymheredd uchel o'i gymharu âHaenau SiC.Mae mesuriadau labordy wedi dangos bod einHaenau TaCyn gallu perfformio'n gyson ar dymheredd hyd at 2300 gradd Celsius am gyfnodau hir. Isod mae rhai enghreifftiau o'n samplau:
