Mae Semicera yn darparu haenau tantalwm carbid (TaC) arbenigol ar gyfer gwahanol gydrannau a chludwyr.Mae proses cotio flaenllaw Semicera yn galluogi cotiau tantalwm carbid (TaC) i gyflawni purdeb uchel, sefydlogrwydd tymheredd uchel a goddefgarwch cemegol uchel, gan wella ansawdd cynnyrch crisialau SIC/GAN a haenau EPI (Susceptor TaC wedi'i orchuddio â graffit), ac ymestyn oes cydrannau allweddol yr adweithydd. Mae defnyddio cotio TaC o dantwm carbid yn datrys y broblem ymyl ac yn gwella ansawdd twf crisialau, ac mae Semicera Semicera wedi datrys y dechnoleg cotio tantwm carbid (CVD) yn arloesi, gan gyrraedd y lefel uwch ryngwladol.
Ar ôl blynyddoedd o ddatblygiad, mae Semicera wedi concro technolegCVD TaCgyda chydymdrechion ar y cyd yr adran Ymchwil a Datblygu. Mae diffygion yn hawdd digwydd ym mhroses twf wafers SiC, ond ar ôl eu defnyddioTaC, mae'r gwahaniaeth yn sylweddol. Isod mae cymhariaeth o wafferi gyda a heb TaC, yn ogystal â rhannau Simicera ar gyfer twf crisial sengl
gyda a heb TaC
Ar ôl defnyddio TaC (dde)
Yn ogystal, mae oes gwasanaeth cynhyrchion cotio TaC Semicera yn hirach ac yn fwy gwrthsefyll tymheredd uchel na chotio SiC. Ar ôl data mesur labordy am amser hir, gall ein TaC weithio am amser hir ar uchafswm o 2300 gradd Celsius. Dyma rai o'n samplau:
(a) Diagram sgematig o ddyfais tyfu ingot grisial sengl SiC trwy ddull PVT (b) Braced hadau wedi'i orchuddio â TaC uchaf (gan gynnwys hadau SiC) (c) Modrwy ganllaw graffit wedi'i orchuddio â TAC






