Disgrifiad
Mae ein cwmni'n darparucotio SiCgwasanaethau prosesu trwy ddull CVD ar wyneb graffit, cerameg a deunyddiau eraill, fel bod nwyon arbennig sy'n cynnwys carbon a silicon yn adweithio ar dymheredd uchel i gael moleciwlau SiC purdeb uchel, moleciwlau a adneuwyd ar wyneb y deunyddiau wedi'u gorchuddio, gan ffurfioHaen amddiffynnol SiC.
Prif Nodweddion
1. Gwrthiant ocsideiddio tymheredd uchel:
mae'r ymwrthedd ocsideiddio yn dal yn dda iawn pan fydd y tymheredd mor uchel â 1600 C.
2. Purdeb uchel: wedi'i wneud trwy ddyddodiad anwedd cemegol o dan gyflwr clorineiddio tymheredd uchel.
3. Gwrthiant erydiad: caledwch uchel, arwyneb cryno, gronynnau mân.
4. Gwrthiant cyrydiad: asid, alcali, halen ac adweithyddion organig.
Prif Fanylebau Gorchudd CVD-SIC
| Priodweddau SiC-CVD | ||
| Strwythur Grisial | Cyfnod β FCC | |
| Dwysedd | g/cm³ | 3.21 |
| Caledwch | Caledwch Vickers | 2500 |
| Maint y Grawn | μm | 2~10 |
| Purdeb Cemegol | % | 99.99995 |
| Capasiti Gwres | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Tymheredd Sublimation | ℃ | 2700 |
| Cryfder Felexural | MPa (RT 4 pwynt) | 415 |
| Modwlws Young | Gpa (plygu 4pt, 1300℃) | 430 |
| Ehangu Thermol (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Dargludedd thermol | (W/mK) | 300 |
Offer
