Padl Cantilever SiCyn cael ei ddefnyddio yn ffwrnais cotio trylediad y diwydiant ffotofoltäig ar gyfer cotio wafferi silicon monogrisialog a polygrisialog. Mae ei nodwedd yn ei alluogi i wrthsefyll tymheredd uchel a chorydiad, gan roi oes hir iddo.
YPadl Cantilever SiCyn danfon cychod SiC/cychod cwarts sy'n cario wafers silicon i mewn i'r tiwb ffwrnais cotio trylediad tymheredd uchel.
Hyd einPadl Cantilever SiCyn amrywio o 1,500 i 3,500 mm.Padlau Cantilever SiCgellir teilwra'r dimensiwn yn ôl manyleb y cwsmer.
| Priodweddau ffisegol Silicon Carbide wedi'i Ailgrisialu | |
| Eiddo | Gwerth Nodweddiadol |
| Tymheredd gweithio (°C) | 1600°C (gydag ocsigen), 1700°C (amgylchedd lleihaol) |
| Cynnwys SiC | > 99.96% |
| Cynnwys Si am ddim | < 0.1% |
| Dwysedd swmp | 2.60-2.70 g/cm3 |
| Mandylledd ymddangosiadol | < 16% |
| Cryfder cywasgu | > 600 MPa |
| Cryfder plygu oer | 80-90 MPa (20°C) |
| Cryfder plygu poeth | 90-100 MPa (1400°C) |
| Ehangu thermol @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Dargludedd thermol @1200°C | 23 W/m•K |
| Modwlws elastig | 240 GPa |
| Gwrthiant sioc thermol | Eithriadol o dda |





