Sefydlwyd Semicera Semicera Semiconductor Technology Co., Ltd., sydd wedi'i leoli yn Ningbo, Talaith Zhejiang, Tsieina, ym mis Ionawr 2018. Ein cenhadaeth yw llunio'r dyfodol trwy ddeunyddiau, a'n gweledigaeth yw dod yn gwmni deunyddiau newydd blaenllaw gyda thechnolegau craidd ym maes lled-ddargludyddion. Rydym yn arbenigo mewn ymchwil a datblygu technolegau uwch fel haenau SiC, haenau Tac, haenau carbon pyrolytig, CVD SiC (SiC Solet), a silicon carbid wedi'i ailgrisialu, sy'n hanfodol ar gyfer y diwydiant lled-ddargludyddion. Rydym hefyd yn canolbwyntio ar gynhyrchu cynhyrchion deunyddiau purdeb uchel ar raddfa fawr.
Anrhydedd ac Ardystiad
Cyfleusterau a Labordai
Ffwrnais tymheredd uchel CVD
Swbstradau cotio ar gyfer epitacsi sglodion LED, epitacsi wafer silicon, swbstradau a chydrannau epitacsi lled-ddargludyddion trydydd cenhedlaeth, haenau TaC, a mwy.
Ffwrnais puro gwactod
Puro elfennau sy'n seiliedig ar garbon fel graffit, ffelt carbon, powdr graffit, a chyfansawdd carbon.
Ffwrnais graffiteiddio llorweddol
Fe'i defnyddir yn bennaf ar gyfer trin deunyddiau carbon ar dymheredd uchel, megis sintro a graffiteiddio deunyddiau carbon, graffiteiddio ffilm PI, sintro deunyddiau dargludol thermol, sintro a graffiteiddio rhaffau ffibr carbon, graffiteiddio ffilamentau ffibr carbon, puro powdr graffit, a deunyddiau eraill sy'n addas ar gyfer graffiteiddio mewn amgylchedd carbon.
Peiriannau CNC
Offer profi
Offeryn Pedwar-Prob
Offer Datblygu a Dilysu Deunyddiau Cotio
Offeryn Prawf CTE
GDMS
SIMS
Cyflwyniad i Gadwyn Ddiwydiannol Epitacsi Sglodion Lled-ddargludyddion
Partneriaid
Epitacsi Sglodion IC
Lled-ddargludyddion Trydydd Cenhedlaeth
