Cerameg Silicon Carbid

1-1 

Mae silicon carbid yn fath o garbid synthetig gyda moleciwl SiC. Pan gaiff ei egni, mae silica a charbon fel arfer yn cael eu ffurfio ar dymheredd uchel uwchlaw 2000°C. Mae gan silicon carbid ddwysedd damcaniaethol o 3.18g/cm3, caledwch Mohs sy'n dilyn diemwnt, a microcaledwch o 3300kg/mm3 rhwng 9.2 a 9.8. Oherwydd ei galedwch uchel a'i wrthwynebiad uchel i wisgo, mae ganddo nodweddion ymwrthedd tymheredd uchel ac fe'i defnyddir ar gyfer amrywiaeth o rannau mecanyddol sy'n gwrthsefyll traul, sy'n gwrthsefyll cyrydiad a thymheredd uchel. Mae'n fath newydd o dechnoleg serameg sy'n gwrthsefyll traul.

1. Priodweddau cemegol.

(1) Gwrthiant ocsideiddio: Pan gaiff y deunydd silicon carbid ei gynhesu i 1300 °C yn yr awyr, mae'r haen amddiffynnol silicon deuocsid yn dechrau cael ei chynhyrchu ar wyneb ei grisial silicon carbid. Wrth i'r haen amddiffynnol dewychu, mae'r silicon carbid mewnol yn parhau i ocsideiddio, fel bod gan y silicon carbid wrthwynebiad ocsideiddio da. Pan fydd y tymheredd yn cyrraedd mwy na 1900K (1627 °C), mae'r ffilm amddiffynnol silicon deuocsid yn dechrau cael ei difrodi, ac mae ocsideiddio silicon carbid yn dwysáu, felly 1900K yw tymheredd gweithio silicon carbid mewn awyrgylch ocsideiddiol.

(2) Gwrthiant asid ac alcali: oherwydd rôl ffilm amddiffynnol silicon deuocsid, mae gan silicon carbid briodweddau fel ffilm amddiffynnol silicon deuocsid.

2、Priodweddau ffisegol a mecanyddol.

(1) Dwysedd: Mae dwysedd gronynnau gwahanol grisialau silicon carbid yn agos iawn, yn gyffredinol yn cael ei ystyried yn 3.20g/mm3, ac mae dwysedd pacio naturiol sgraffinyddion silicon carbid rhwng 1.2-1.6g/mm3, yn dibynnu ar faint y gronynnau, cyfansoddiad maint y gronynnau a siâp maint y gronynnau.

(2) Caledwch: Caledwch Mohs silicon carbid yw 9.2, micro-ddwysedd Wessler yw 3000-3300kg/mm2, caledwch Knopp yw 2670-2815kg/mm, mae'r sgraffiniad yn uwch na chorundwm, yn agos at ddiamwnt, boron nitrid ciwbig a boron carbid.

(3) Dargludedd thermol: mae gan gynhyrchion silicon carbid ddargludedd thermol uchel, cyfernod ehangu thermol bach, ymwrthedd sioc thermol uchel, ac maent yn ddeunyddiau anhydrin o ansawdd uchel.

3、Priodweddau trydanol.

Eitem Uned Data Data Data Data Data
RBsic(sisic) NBSiC SSiC RSiC OSiC
Cynnwys SiC % 85 76 99 ≥99 ≥90
Cynnwys silicon am ddim % 15 0 0 0 0
Tymheredd gwasanaeth uchaf 1380 1450 1650 1620 1400
Dwysedd g/cm^3 3.02 2.75-2.85 3.08-3.16 2.65-2.75 2.75-2.85
Mandylledd agored % 0 13-15 0 15-18 7-8
Cryfder plygu 20 ℃ Mpa 250 160 380 100 /
Cryfder plygu 1200 ℃ Mpa 280 180 400 120 /
Modiwlws elastigedd 20 ℃ GPA 330 580 420 240 /
Modiwlws elastigedd 1200 ℃ GPA 300 / / 200 /
Dargludedd thermol 1200 ℃ W/mc 45 19.6 100-120 36.6 /
Cyfernod ehangu thermol K^-lx10^-8 4.5 4.7 4.1 4.69 /
HV kg/m^m2 2115 / 2800 / /
123456Nesaf >>> Tudalen 1 / 9