epitaxy GaN seiliedig ar silicon

Disgrifiad o'r Cynnyrch

Mae ein cwmni'n darparuCotio SiCgwasanaethau proses trwy ddull CVD ar wyneb graffit, cerameg a deunyddiau eraill, fel bod nwyon arbennig sy'n cynnwys carbon a silicon yn adweithio ar dymheredd uchel i gael moleciwlau SiC purdeb uchel, moleciwlau a adneuwyd ar wyneb y deunyddiau wedi'u gorchuddio, gan ffurfioHaen amddiffynnol SIC.

Prif nodweddion:

1. Gwrthiant ocsideiddio tymheredd uchel:

mae'r ymwrthedd ocsideiddio yn dal yn dda iawn pan fo'r tymheredd mor uchel â 1600 C.

2. purdeb uchel: wedi'i wneud gan ddyddodiad anwedd cemegol o dan gyflwr clorineiddio tymheredd uchel.

3. Gwrthiant erydiad: caledwch uchel, arwyneb cryno, gronynnau mân.

4. ymwrthedd cyrydiad: adweithyddion asid, alcali, halen ac organig.