Newyddion Diwydiant

  • Deunydd Delfrydol ar gyfer Modrwyau Ffocws mewn Offer Ysgythru Plasma: Silicon Carbide (SiC)

    Deunydd Delfrydol ar gyfer Modrwyau Ffocws mewn Offer Ysgythru Plasma: Silicon Carbide (SiC)

    Mewn offer ysgythru plasma, mae cydrannau ceramig yn chwarae rhan hanfodol, gan gynnwys y cylch ffocws.Mae'r cylch ffocws, wedi'i osod o amgylch y wafer ac mewn cysylltiad uniongyrchol ag ef, yn hanfodol ar gyfer canolbwyntio'r plasma ar y wafer trwy roi foltedd i'r cylch.Mae hyn yn gwella'r an...
    Darllen mwy
  • Effaith prosesu grisial sengl carbid silicon ar ansawdd wyneb wafferi

    Effaith prosesu grisial sengl carbid silicon ar ansawdd wyneb wafferi

    Mae dyfeisiau pŵer lled-ddargludyddion mewn safle craidd mewn systemau electronig pŵer, yn enwedig yng nghyd-destun datblygiad cyflym technolegau megis deallusrwydd artiffisial, cyfathrebu 5G a cherbydau ynni newydd, mae'r gofynion perfformiad ar eu cyfer wedi bod ...
    Darllen mwy
  • Deunydd craidd allweddol ar gyfer twf SiC: cotio carbid Tantalwm

    Deunydd craidd allweddol ar gyfer twf SiC: cotio carbid Tantalwm

    Ar hyn o bryd, mae carbid silicon yn dominyddu'r drydedd genhedlaeth o lled-ddargludyddion.Yn strwythur cost ei ddyfeisiau, mae'r swbstrad yn cyfrif am 47%, ac mae'r epitaxy yn cyfrif am 23%.Mae'r ddau gyda'i gilydd yn cyfrif am tua 70%, sef y rhan bwysicaf o'r gweithgynhyrchu dyfais carbid silicon ...
    Darllen mwy
  • Sut mae cynhyrchion â gorchudd carbid tantalwm yn gwella ymwrthedd cyrydiad deunyddiau?

    Sut mae cynhyrchion â gorchudd carbid tantalwm yn gwella ymwrthedd cyrydiad deunyddiau?

    Mae cotio carbid tantalwm yn dechnoleg trin wyneb a ddefnyddir yn gyffredin a all wella ymwrthedd cyrydiad deunyddiau yn sylweddol.Gellir cysylltu cotio carbid tantalwm i wyneb y swbstrad trwy wahanol ddulliau paratoi, megis dyddodiad anwedd cemegol, ffisio ...
    Darllen mwy
  • Ddoe, cyhoeddodd y Bwrdd Arloesi Gwyddoniaeth a Thechnoleg gyhoeddiad bod Huazhuo Precision Technology yn terfynu ei IPO!

    Newydd gyhoeddi cyflwyno'r offer anelio laser SIC 8-modfedd cyntaf yn Tsieina, sydd hefyd yn dechnoleg Tsinghua;Pam wnaethon nhw dynnu'r deunyddiau eu hunain yn ôl?Dim ond ychydig eiriau: Yn gyntaf, mae'r cynhyrchion yn rhy amrywiol!Ar yr olwg gyntaf, nid wyf yn gwybod beth maen nhw'n ei wneud.Ar hyn o bryd, mae H...
    Darllen mwy
  • CVD silicon carbide cotio-2

    CVD silicon carbide cotio-2

    Cotio carbid silicon CVD 1. Pam mae cotio carbid silicon Mae'r haen epitaxial yn ffilm denau grisial sengl benodol a dyfir ar sail y wafer trwy'r broses epitaxial.Gelwir y wafer swbstrad a'r ffilm denau epitaxial gyda'i gilydd yn wafferi epitaxial.Yn eu plith, mae'r...
    Darllen mwy
  • Proses baratoi cotio SIC

    Proses baratoi cotio SIC

    Ar hyn o bryd, mae dulliau paratoi cotio SiC yn bennaf yn cynnwys dull gel-sol, dull mewnosod, dull cotio brwsh, dull chwistrellu plasma, dull adwaith anwedd cemegol (CVR) a dull dyddodiad anwedd cemegol (CVD).Dull ymgorffori Mae'r dull hwn yn fath o gyfnod solet tymheredd uchel ...
    Darllen mwy
  • Gorchudd carbid silicon CVD-1

    Gorchudd carbid silicon CVD-1

    Beth yw CVD SiC Mae dyddodiad anwedd cemegol (CVD) yn broses dyddodiad gwactod a ddefnyddir i gynhyrchu deunyddiau solet purdeb uchel.Defnyddir y broses hon yn aml yn y maes gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion i ffurfio ffilmiau tenau ar wyneb wafferi.Yn y broses o baratoi SiC gan CVD, mae'r swbstrad yn dod i ben ...
    Darllen mwy
  • Dadansoddiad o strwythur dadleoli mewn grisial SiC trwy efelychiad olrhain pelydr gyda chymorth delweddu topolegol pelydr-X

    Dadansoddiad o strwythur dadleoli mewn grisial SiC trwy efelychiad olrhain pelydr gyda chymorth delweddu topolegol pelydr-X

    Cefndir ymchwil Pwysigrwydd cymhwyso carbid silicon (SiC): Fel deunydd lled-ddargludyddion bandgap eang, mae carbid silicon wedi denu llawer o sylw oherwydd ei briodweddau trydanol rhagorol (fel bandgap mwy, cyflymder dirlawnder electron uwch a dargludedd thermol).Mae'r rhain yn prop...
    Darllen mwy
  • Proses paratoi grisial hadau mewn twf crisial sengl SiC 3

    Proses paratoi grisial hadau mewn twf crisial sengl SiC 3

    Dilysu Twf Paratowyd crisialau hadau carbid silicon (SiC) yn dilyn y broses a amlinellwyd a'u dilysu trwy dyfiant grisial SiC.Y llwyfan twf a ddefnyddiwyd oedd ffwrnais twf ymsefydlu SiC hunanddatblygedig gyda thymheredd twf o 2200 ℃, pwysedd twf o 200 Pa, a thymheredd twf o 200 Pa, a thymheredd twf o 200 ℃.
    Darllen mwy
  • Proses Paratoi Crisial Hadau mewn Twf Grisial Sengl SiC (Rhan 2)

    Proses Paratoi Crisial Hadau mewn Twf Grisial Sengl SiC (Rhan 2)

    2. Proses Arbrofol 2.1 Curing o Glud Ffilm Gwelwyd bod uniongyrchol creu ffilm carbon neu fondio gyda phapur graffit ar wafferi SiC gorchuddio â adlyn arwain at nifer o faterion: 1. O dan amodau gwactod, datblygodd y ffilm gludiog ar wafferi SiC ymddangosiad scalelike oherwydd i Lofnodi...
    Darllen mwy
  • Proses Paratoi Crisial Hadau mewn Twf Crisial Sengl SiC

    Proses Paratoi Crisial Hadau mewn Twf Crisial Sengl SiC

    Mae gan ddeunydd silicon carbid (SiC) fanteision bwlch band eang, dargludedd thermol uchel, cryfder maes dadelfennu critigol uchel, a chyflymder drifft electron dirlawn uchel, gan ei wneud yn addawol iawn yn y maes gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion.Yn gyffredinol, cynhyrchir crisialau sengl SiC trwy ...
    Darllen mwy
123456Nesaf >>> Tudalen 1/8