Bywyd Gwasanaeth Hir Cludydd Graffit Gorchuddio SiC Ar gyfer Wafer Solar

Disgrifiad Byr:

Mae silicon carbid yn fath newydd o gerameg gyda pherfformiad cost uchel ac eiddo deunydd rhagorol.Oherwydd nodweddion fel cryfder a chaledwch uchel, ymwrthedd tymheredd uchel, dargludedd thermol gwych a gwrthiant cyrydiad cemegol, gall Silicon Carbide bron wrthsefyll pob cyfrwng cemegol.Felly, defnyddir SiC yn eang mewn mwyngloddio olew, cemegol, peiriannau a gofod awyr, mae gan hyd yn oed ynni niwclear a'r fyddin eu gofynion arbennig ar SIC.Rhai cymhwysiad arferol y gallwn ei gynnig yw modrwyau sêl ar gyfer pwmp, falf ac arfwisg amddiffynnol ac ati.


Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Manteision

Gwrthiant ocsideiddio tymheredd uchel
Ardderchog ymwrthedd cyrydiad
Gwrthiant crafiadau da
Cyfernod uchel o dargludedd gwres
Hunan-lubricity, dwysedd isel
Caledwch uchel
Dyluniad wedi'i addasu.

HGF (2)
HGF (1)

Ceisiadau

-Maes sy'n gwrthsefyll traul: llwyni, plât, ffroenell sgwrio â thywod, leinin seiclon, casgen malu, ac ati ...
-Maes Tymheredd Uchel: Slab sC, Tiwb Ffwrnais diffodd, Tiwb pelydrol, crucible, Elfen Gwresogi, Roller, Beam, Cyfnewidydd Gwres, Pibell Aer Oer, Ffroenell Llosgwr, Tiwb Diogelu Thermocouple, Cwch SIC, Strwythur Car Odyn, Gosodwr, ac ati.
-Silicon Carbide Semiconductor: cwch waffer SiC, chuck sic, padl sic, casét sic, tiwb tryledu sic, fforc waffer, plât sugno, canllaw, ac ati.
-Maes Sêl Carbide Silicon: pob math o gylch selio, dwyn, llwyni, ac ati.
-Maes Ffotofoltäig: Padlo Cantilever, Casgen Malu, Rholer Carbid Silicon, ac ati.
-Maes Batri Lithiwm

WAFER (1)

WAFER (2)

Priodweddau Corfforol SiC

Eiddo Gwerth Dull
Dwysedd 3.21 g/cc Sinc-float a dimensiwn
Gwres penodol 0.66 J/g °K Fflach laser pwls
Cryfder hyblyg 450 MPa560 MPa Tro 4 pwynt, tro pwynt RT4, 1300 °
Gwydnwch torri asgwrn 2.94 MPa m1/2 Microindentation
Caledwch 2800 Vicker's, llwyth 500g
Modwlws Elastig ModwlwsYoung 450 GPa430 GPa Tro 4 pt, tro RT4 pt, 1300 ° C
Maint grawn 2 – 10 µm SEM

Priodweddau Thermol SiC

Dargludedd Thermol 250 W/m °K Dull fflach laser, RT
Ehangu Thermol (CTE) 4.5 x 10-6 °K Tymheredd yr ystafell i 950 ° C, deilomedr silica

Paramedrau Technegol

Eitem Uned Data
RBSiC(SiSiC) NBsiC SSiC RSiC OSiC
Cynnwys SiC % 85 75 99 99.9 ≥99
Cynnwys silicon am ddim % 15 0 0 0 0
Tymheredd gwasanaeth uchaf 1380. llarieidd-dra eg 1450 1650. llathredd eg 1620. llarieidd-dra eg 1400
Dwysedd g/cm3 3.02 2.75-2.85 3.08-3.16 2.65-2.75 2.75-2.85
mandylledd agored % 0 13-15 0 15-18 7-8
Cryfder plygu 20 ℃ Мpa 250 160 380 100 /
Cryfder plygu 1200 ℃ Мpa 280 180 400 120 /
Modwlws elastigedd 20 ℃ Gpa 330 580 420 240 /
Modwlws elastigedd 1200 ℃ Gpa 300 / / 200 /
Dargludedd thermol 1200 ℃ W/mK 45 19.6 100-120 36.6 /
Cyfernod ehangu thermol K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4.69 /
HV Kg/mm2 2115. llarieidd-dra eg / 2800 / /

Gall cotio carbid silicon CVD ar wyneb allanol cynhyrchion ceramig carbid silicon wedi'u hailgrisialu gyrraedd purdeb o fwy na 99.9999% i ddiwallu anghenion cwsmeriaid yn y diwydiant lled-ddargludyddion.

Gweithle Semicera
Gweithle Semicera 2
Peiriant offer
Prosesu CNN, glanhau cemegol, cotio CVD
Ein gwasanaeth

  • Pâr o:
  • Nesaf: