Newyddion

  • Deunydd Delfrydol ar gyfer Modrwyau Ffocws mewn Offer Ysgythru Plasma: Silicon Carbide (SiC)

    Deunydd Delfrydol ar gyfer Modrwyau Ffocws mewn Offer Ysgythru Plasma: Silicon Carbide (SiC)

    Mewn offer ysgythru plasma, mae cydrannau ceramig yn chwarae rhan hanfodol, gan gynnwys y cylch ffocws.Mae'r cylch ffocws, wedi'i osod o amgylch y wafer ac mewn cysylltiad uniongyrchol ag ef, yn hanfodol ar gyfer canolbwyntio'r plasma ar y wafer trwy roi foltedd i'r cylch.Mae hyn yn gwella'r an...
    Darllen mwy
  • Pen Blaen y Llinell (FEOL): Gosod y Sylfaen

    Mae pen blaen y llinell gynhyrchu fel gosod y sylfaen ac adeiladu waliau tŷ.Mewn gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion, mae'r cam hwn yn golygu creu'r strwythurau a'r transistorau sylfaenol ar wafer silicon.Camau Allweddol FEOL: ...
    Darllen mwy
  • Effaith prosesu grisial sengl carbid silicon ar ansawdd wyneb wafferi

    Effaith prosesu grisial sengl carbid silicon ar ansawdd wyneb wafferi

    Mae dyfeisiau pŵer lled-ddargludyddion mewn safle craidd mewn systemau electronig pŵer, yn enwedig yng nghyd-destun datblygiad cyflym technolegau megis deallusrwydd artiffisial, cyfathrebu 5G a cherbydau ynni newydd, mae'r gofynion perfformiad ar eu cyfer wedi bod ...
    Darllen mwy
  • Deunydd craidd allweddol ar gyfer twf SiC: cotio carbid Tantalwm

    Deunydd craidd allweddol ar gyfer twf SiC: cotio carbid Tantalwm

    Ar hyn o bryd, mae carbid silicon yn dominyddu'r drydedd genhedlaeth o lled-ddargludyddion.Yn strwythur cost ei ddyfeisiau, mae'r swbstrad yn cyfrif am 47%, ac mae'r epitaxy yn cyfrif am 23%.Mae'r ddau gyda'i gilydd yn cyfrif am tua 70%, sef y rhan bwysicaf o'r gweithgynhyrchu dyfais carbid silicon ...
    Darllen mwy
  • Sut mae cynhyrchion â gorchudd carbid tantalwm yn gwella ymwrthedd cyrydiad deunyddiau?

    Sut mae cynhyrchion â gorchudd carbid tantalwm yn gwella ymwrthedd cyrydiad deunyddiau?

    Mae cotio carbid tantalwm yn dechnoleg trin wyneb a ddefnyddir yn gyffredin a all wella ymwrthedd cyrydiad deunyddiau yn sylweddol.Gellir cysylltu cotio carbid tantalwm i wyneb y swbstrad trwy wahanol ddulliau paratoi, megis dyddodiad anwedd cemegol, ffisio ...
    Darllen mwy
  • Ddoe, cyhoeddodd y Bwrdd Arloesi Gwyddoniaeth a Thechnoleg gyhoeddiad bod Huazhuo Precision Technology yn terfynu ei IPO!

    Newydd gyhoeddi cyflwyno'r offer anelio laser SIC 8-modfedd cyntaf yn Tsieina, sydd hefyd yn dechnoleg Tsinghua;Pam wnaethon nhw dynnu'r deunyddiau eu hunain yn ôl?Dim ond ychydig eiriau: Yn gyntaf, mae'r cynhyrchion yn rhy amrywiol!Ar yr olwg gyntaf, nid wyf yn gwybod beth maen nhw'n ei wneud.Ar hyn o bryd, mae H...
    Darllen mwy
  • CVD silicon carbide cotio-2

    CVD silicon carbide cotio-2

    Cotio carbid silicon CVD 1. Pam mae cotio carbid silicon Mae'r haen epitaxial yn ffilm denau grisial sengl benodol a dyfir ar sail y wafer trwy'r broses epitaxial.Gelwir y wafer swbstrad a'r ffilm denau epitaxial gyda'i gilydd yn wafferi epitaxial.Yn eu plith, mae'r...
    Darllen mwy
  • Proses baratoi cotio SIC

    Proses baratoi cotio SIC

    Ar hyn o bryd, mae dulliau paratoi cotio SiC yn bennaf yn cynnwys dull gel-sol, dull mewnosod, dull cotio brwsh, dull chwistrellu plasma, dull adwaith anwedd cemegol (CVR) a dull dyddodiad anwedd cemegol (CVD).Dull ymgorffori Mae'r dull hwn yn fath o gyfnod solet tymheredd uchel ...
    Darllen mwy
  • Gorchudd carbid silicon CVD-1

    Gorchudd carbid silicon CVD-1

    Beth yw CVD SiC Mae dyddodiad anwedd cemegol (CVD) yn broses dyddodiad gwactod a ddefnyddir i gynhyrchu deunyddiau solet purdeb uchel.Defnyddir y broses hon yn aml yn y maes gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion i ffurfio ffilmiau tenau ar wyneb wafferi.Yn y broses o baratoi SiC gan CVD, mae'r swbstrad yn dod i ben ...
    Darllen mwy
  • Dadansoddiad o strwythur dadleoli mewn grisial SiC trwy efelychiad olrhain pelydr gyda chymorth delweddu topolegol pelydr-X

    Dadansoddiad o strwythur dadleoli mewn grisial SiC trwy efelychiad olrhain pelydr gyda chymorth delweddu topolegol pelydr-X

    Cefndir ymchwil Pwysigrwydd cymhwyso carbid silicon (SiC): Fel deunydd lled-ddargludyddion bandgap eang, mae carbid silicon wedi denu llawer o sylw oherwydd ei briodweddau trydanol rhagorol (fel bandgap mwy, cyflymder dirlawnder electron uwch a dargludedd thermol).Mae'r rhain yn prop...
    Darllen mwy
  • Proses paratoi grisial hadau mewn twf crisial sengl SiC 3

    Proses paratoi grisial hadau mewn twf crisial sengl SiC 3

    Dilysu Twf Paratowyd crisialau hadau carbid silicon (SiC) yn dilyn y broses a amlinellwyd a'u dilysu trwy dyfiant grisial SiC.Y llwyfan twf a ddefnyddiwyd oedd ffwrnais twf ymsefydlu SiC hunanddatblygedig gyda thymheredd twf o 2200 ℃, pwysedd twf o 200 Pa, a thymheredd twf o 200 Pa, a thymheredd twf o 200 ℃.
    Darllen mwy
  • Proses Paratoi Crisial Hadau mewn Twf Grisial Sengl SiC (Rhan 2)

    Proses Paratoi Crisial Hadau mewn Twf Grisial Sengl SiC (Rhan 2)

    2. Proses Arbrofol 2.1 Curing o Glud Ffilm Gwelwyd bod uniongyrchol creu ffilm carbon neu fondio gyda phapur graffit ar wafferi SiC gorchuddio â adlyn arwain at nifer o faterion: 1. O dan amodau gwactod, datblygodd y ffilm gludiog ar wafferi SiC ymddangosiad scalelike oherwydd i Lofnodi...
    Darllen mwy
123456Nesaf >>> Tudalen 1/8