Rhannau Epitaxial MOCVD

Proses wedi'i gorchuddio â SiC ar gyfer Cludwyr Graffit wedi'u Haenu â SiC sylfaen graffit
epitaxy GaN seiliedig ar silicon
Disg epitaxial silicon monocrystalline wedi'i orchuddio â lled-ddargludyddion SiC
Susceptor Graffit gyda Gorchudd Carbid Silicon, Cludwr wafferi 8 modfedd
19 darn o graffit sylfaen 2 fodfedd MOCVD rhannau offer
Susceptor Graffit gyda Chaenen Carbid Silicon, 6 darn Cludwr wafferi 6 modfedd
Disg Carbid Silicon ar gyfer MOCVD
Hambwrdd MOCVD SiC purdeb gwrth-ocsidiad uchel
41 darn 4 modfedd graffit sylfaen rhannau offer MOCVD
36 darn o 4 modfedd graffit sylfaen rhannau offer MOCVD
Epitaxy LED glas/gwyrdd