Susceptor Graffit gyda Gorchudd Carbid Silicon, Cludwr Wafferi

Mae gan cotio CVD-SiC nodweddion strwythur unffurf, deunydd cryno, ymwrthedd tymheredd uchel, ymwrthedd ocsideiddio, purdeb uchel, ymwrthedd asid ac alcali ac adweithydd organig, gyda phriodweddau ffisegol a chemegol sefydlog.
O'i gymharu â deunyddiau graffit purdeb uchel, mae graffit yn dechrau ocsideiddio ar 400C, a fydd yn achosi colled powdr oherwydd ocsidiad, gan arwain at lygredd amgylcheddol i ddyfeisiau ymylol a siambrau gwactod, a chynyddu amhureddau amgylchedd purdeb uchel.
Fodd bynnag, gall cotio SiC gynnal sefydlogrwydd ffisegol a chemegol ar 1600 gradd, Fe'i defnyddir yn eang mewn diwydiant modern, yn enwedig mewn diwydiant lled-ddargludyddion.