Disg epitaxial silicon monocrystalline wedi'i orchuddio â lled-ddargludyddion SiC

Lled-ddargludydd SiC wedi'i orchuddio â silicon monocrystalline disg epitaxial Delwedd Sylw

Disgrifiad Byr:

Mae Semicera Energy Technology Co, Ltd yn gyflenwr blaenllaw sy'n arbenigo mewn nwyddau traul waffer a lled-ddargludyddion uwch.Rydym yn ymroddedig i ddarparu cynhyrchion o ansawdd uchel, dibynadwy ac arloesol i weithgynhyrchu lled-ddargludyddion,diwydiant ffotofoltäiga meysydd cysylltiedig eraill.

Mae ein llinell gynnyrch yn cynnwys cynhyrchion graffit wedi'u gorchuddio â SiC / TaC a chynhyrchion ceramig, gan gwmpasu deunyddiau amrywiol fel silicon carbid, silicon nitrid, ac alwminiwm ocsid ac ati.

Fel cyflenwr dibynadwy, rydym yn deall pwysigrwydd nwyddau traul yn y broses weithgynhyrchu, ac rydym wedi ymrwymo i ddarparu cynhyrchion sy'n bodloni'r safonau ansawdd uchaf i ddiwallu anghenion ein cwsmeriaid.

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Disgrifiad

Mae ein cwmni'n darparuCotio SiCgwasanaethau proses trwy ddull CVD ar wyneb graffit, cerameg a deunyddiau eraill, fel bod nwyon arbennig sy'n cynnwys carbon a silicon yn adweithio ar dymheredd uchel i gael moleciwlau SiC purdeb uchel, moleciwlau a adneuwyd ar wyneb y deunyddiau wedi'u gorchuddio, gan ffurfioHaen amddiffynnol SIC.

Taflen epitaxial silicon monocrystalline

Prif Nodweddion

1. Gwrthiant ocsideiddio tymheredd uchel:
mae'r ymwrthedd ocsideiddio yn dal yn dda iawn pan fo'r tymheredd mor uchel â 1600 C.
2. purdeb uchel: wedi'i wneud gan ddyddodiad anwedd cemegol o dan gyflwr clorineiddio tymheredd uchel.
3. Gwrthiant erydiad: caledwch uchel, arwyneb cryno, gronynnau mân.
4. ymwrthedd cyrydiad: adweithyddion asid, alcali, halen ac organig.

Prif Fanylebau Gorchudd CVD-SIC

Priodweddau SiC-CVD
Strwythur grisial	FCC β cyfnod
Dwysedd	g/cm ³	3.21
Caledwch	Vickers caledwch	2500
Maint Grawn	μm	2 ~ 10
Purdeb Cemegol	%	99.99995
Cynhwysedd Gwres	J·kg-1 ·K-1	640
Tymheredd Sublimation	℃	2700
Cryfder Felexural	MPa (RT 4-pwynt)	415
Modwlws Young	Gpa (tro 4pt, 1300 ℃)	430
Ehangu Thermol (CTE)	10-6K-1	4.5
Dargludedd thermol	(W/mK)	300