CVD Carbid Silicon Swmp (SiC)
Trosolwg:CVDcarbid silicon swmp (SiC)yn ddeunydd y mae galw mawr amdano mewn offer ysgythru plasma, cymwysiadau prosesu thermol cyflym (RTP), a phrosesau gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion eraill. Mae ei briodweddau mecanyddol, cemegol a thermol eithriadol yn ei wneud yn ddeunydd delfrydol ar gyfer cymwysiadau technoleg uwch sy'n gofyn am gywirdeb a gwydnwch uchel.
Cymwysiadau CVD Swmp SiC:Mae Swmp SiC yn hanfodol yn y diwydiant lled-ddargludyddion, yn enwedig mewn systemau ysgythru plasma, lle mae cydrannau fel cylchoedd ffocws, pennau cawod nwy, modrwyau ymyl, a phlatennau yn elwa o ymwrthedd cyrydiad rhagorol a dargludedd thermol SiC. Mae ei ddefnydd yn ymestyn iCTRhsystemau oherwydd gallu SiC i wrthsefyll amrywiadau tymheredd cyflym heb ddiraddio sylweddol.
Yn ogystal ag offer ysgythru, CVDswmp SiCyn cael ei ffafrio mewn ffwrneisi tryledu a phrosesau twf grisial, lle mae angen sefydlogrwydd thermol uchel a gwrthsefyll amgylcheddau cemegol llym. Mae'r priodoleddau hyn yn gwneud SiC yn ddeunydd o ddewis ar gyfer cymwysiadau galw uchel sy'n cynnwys tymereddau uchel a nwyon cyrydol, megis y rhai sy'n cynnwys clorin a fflworin.
Manteision Cydrannau SiC Swmp CVD:
•Dwysedd Uchel:Gyda dwysedd o 3.2 g/cm³,CVD swmp SiCmae cydrannau'n gallu gwrthsefyll traul ac effaith fecanyddol yn fawr.
•Dargludedd Thermol Uwch:Gan gynnig dargludedd thermol o 300 W/m·K, mae swmp SiC yn rheoli gwres yn effeithlon, gan ei wneud yn ddelfrydol ar gyfer cydrannau sy'n agored i gylchredau thermol eithafol.
•Gwrthiant Cemegol Eithriadol:Mae adweithedd isel SiC â nwyon ysgythru, gan gynnwys cemegau clorin a fflworin, yn sicrhau bywyd cydran hirfaith.
•Gwrthiant Addasadwy: CVD swmp SiC'sgellir addasu gwrthedd o fewn yr ystod o 10⁻²–10⁴ Ω-cm, gan ei wneud yn addasadwy i anghenion gweithgynhyrchu ysgythru a lled-ddargludyddion penodol.
•Cyfernod Ehangu Thermol:Gyda chyfernod ehangu thermol o 4.8 x 10⁻⁶ / ° C (25-1000 ° C), mae swmp CVD SiC yn gwrthsefyll sioc thermol, gan gynnal sefydlogrwydd dimensiwn hyd yn oed yn ystod cylchoedd gwresogi ac oeri cyflym.
•Gwydnwch yn Plasma:Mae amlygiad i plasma a nwyon adweithiol yn anochel mewn prosesau lled-ddargludyddion, ondCVD swmp SiCyn cynnig ymwrthedd gwell i gyrydiad a diraddio, gan leihau amlder ailosod a chostau cynnal a chadw cyffredinol.
Manylebau Technegol:
•Diamedr:Mwy na 305 mm
•Gwrthiant:Addasadwy o fewn 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Dwysedd:3.2 g / cm³
•Dargludedd Thermol:300 W/m·K
•Cyfernod Ehangu Thermol:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Addasu a Hyblygrwydd:YnLled-ddargludydd Semicera, rydym yn deall y gall fod angen manylebau gwahanol ar bob cais lled-ddargludyddion. Dyna pam mae ein cydrannau CVD SiC swmp yn gwbl addasadwy, gyda gwrthedd addasadwy a dimensiynau wedi'u teilwra i weddu i'ch anghenion offer. P'un a ydych chi'n optimeiddio'ch systemau ysgythru plasma neu'n chwilio am gydrannau gwydn mewn CTRh neu brosesau tryledu, mae ein CVD swmp SiC yn darparu perfformiad heb ei ail.
