Mae'r deunyddiau crai a ddefnyddir wrth gynhyrchu arlliwiau fel arfer yn cynnwys graffit naddion, golosg petrolewm ac inc carreg microgrisialog.Po uchaf yw purdeb graffit, yr uchaf yw'r gwerth defnydd.Gellir rhannu dulliau puro graffit yn ddulliau ffisegol a dulliau cemegol.Mae dulliau puro ffisegol yn cynnwys arnofio a phuro tymheredd uchel, ac mae dulliau puro cemegol yn cynnwys dull asid-sylfaen, dull asid hydrofluorig a dull rhostio clorid.
Yn eu plith, gall y dull puro tymheredd uchel ddefnyddio'r pwynt toddi uchel (3773K) a phwynt berwi graffit i gyflawni 4N5 a phurdeb uwch, sy'n cynnwys anweddu ac allyrru amhureddau â phwynt berwi isel, er mwyn cyflawni pwrpas puro [6].Y dechnoleg allweddol o arlliw purdeb uchel yw cael gwared ar amhureddau olrhain.Ar y cyd â nodweddion puro cemegol a phuro tymheredd uchel, mabwysiadir proses puro thermocemegol tymheredd uchel cyfansawdd segmentiedig unigryw i gyflawni puro deunyddiau arlliw purdeb uchel, a gall purdeb y cynnyrch fod yn fwy na 6N.
Perfformiad a nodweddion cynnyrch:
1, purdeb cynnyrch≥99.9999% (6N);
2, sefydlogrwydd powdr carbon purdeb uchel, gradd uchel o graffitization, llai o amhureddau;
3, gellir addasu ronynnedd a math yn ôl defnyddwyr.
Prif ddefnyddiau'r cynnyrch:
■Synthesis o bowdr SiC purdeb uchel a deunyddiau carbid synthetig cyfnod solet eraill
■Tyfu diemwntau
■Deunyddiau dargludedd thermol newydd ar gyfer cynhyrchion electronig
■Deunydd catod batri lithiwm pen uchel
■Mae cyfansoddion metel gwerthfawr hefyd yn ddeunyddiau crai
-
Casgen adweithydd epitaxial wedi'i orchuddio â silicon carbid
-
Tymheredd uchel a gwrthsefyll cyrydiad LED Si...
-
Adweithydd Casgen ar gyfer Epitacsi Cyfnod Hylif
-
Hambwrdd MOCVD SiC purdeb gwrth-ocsidiad uchel
-
epitaxy GaN lled-ddargludyddion seiliedig ar silicon
-
Adweithydd Casgen Semi-ceras: Grymuso Lled-ddarpar...