Mae Semicera Semicera yn darparu haenau carbid tantalwm (TaC) arbenigol ar gyfer gwahanol gydrannau a chludwyr.Mae proses cotio flaenllaw Semicera Semicera yn galluogi haenau carbid tantalwm (TaC) i gyflawni purdeb uchel, sefydlogrwydd tymheredd uchel a goddefgarwch cemegol uchel, gan wella ansawdd cynnyrch crisialau SIC / GAN a haenau EPI (Susceptor TaC wedi'i orchuddio â graffit), ac ymestyn oes cydrannau allweddol yr adweithydd.Y defnydd o cotio TaC carbid tantalwm yw datrys y broblem ymyl a gwella ansawdd twf grisial, ac mae Semicera Semicera wedi torri tir newydd i ddatrys y dechnoleg cotio tantalwm carbide (CVD), gan gyrraedd y lefel uwch ryngwladol.
Ar ôl blynyddoedd o ddatblygiad, mae Semicera wedi goresgyn technolegCVD TaCgydag ymdrechion ar y cyd yr adran Ymchwil a Datblygu.Mae diffygion yn hawdd i ddigwydd ym mhroses twf wafferi SiC, ond ar ôl eu defnyddioTaC, mae'r gwahaniaeth yn arwyddocaol.Isod mae cymhariaeth o wafferi gyda a heb TaC, yn ogystal â rhannau Simicera ar gyfer twf grisial sengl
gyda a heb TaC
Ar ôl defnyddio TaC (dde)
Yn ogystal, mae bywyd gwasanaeth cynhyrchion cotio TaC Semicera yn hirach ac yn fwy gwrthsefyll tymheredd uchel na bywyd cotio SiC.Ar ôl amser hir o ddata mesur labordy, gall ein TaC weithio am amser hir ar uchafswm o 2300 gradd Celsius.Dyma rai o'n samplau:
(a) Diagram sgematig o ddyfais tyfu ingot grisial sengl SiC gan ddefnyddio dull PVT (b) Braced hadau â haen uchaf TaC (gan gynnwys hadau SiC) (c) Modrwy graffit wedi'i gorchuddio â TAC
-
Gall cwch wafferi carbid silicon lled-ddargludol fod yn...
-
Adweithydd Casgen Semi-ceras: Gyrru Arloesedd i...
-
Adweithydd Epitaxial Tymheredd Uchel wedi'i orchuddio â SiC B...
-
Hambwrdd MOCVD SiC purdeb gwrth-ocsidiad uchel
-
Hambwrdd ICP Lled-ddargludydd Personol (Ysgythru)
-
Daliwr graffit gyda gorchudd silicon carbid...