Cyflwyniad i Cotio CVD TaC:
Mae Cotio CVD TaC yn dechnoleg sy'n defnyddio dyddodiad anwedd cemegol i ddyddodi cotio tantalwm carbide (TaC) ar wyneb swbstrad. Mae carbid tantalum yn ddeunydd cerameg perfformiad uchel gyda phriodweddau mecanyddol a chemegol rhagorol. Mae'r broses CVD yn cynhyrchu ffilm TaC unffurf ar wyneb yr is-haen trwy adwaith nwy.
Prif nodweddion:
Caledwch ardderchog a gwrthsefyll gwisgo: Mae gan carbid Tantalum galedwch hynod o uchel, a gall Cotio CVD TaC wella ymwrthedd gwisgo'r swbstrad yn sylweddol. Mae hyn yn gwneud y cotio yn ddelfrydol ar gyfer cymwysiadau mewn amgylcheddau traul uchel, megis offer torri a mowldiau.
Sefydlogrwydd Tymheredd Uchel: Mae haenau TaC yn amddiffyn cydrannau ffwrnais ac adweithydd critigol ar dymheredd hyd at 2200 ° C, gan ddangos sefydlogrwydd da. Mae'n cynnal sefydlogrwydd cemegol a mecanyddol o dan amodau tymheredd eithafol, gan ei gwneud yn addas ar gyfer prosesu tymheredd uchel a chymwysiadau mewn amgylcheddau tymheredd uchel.
Sefydlogrwydd cemegol rhagorol: Mae gan carbid Tantalum ymwrthedd cyrydiad cryf i'r rhan fwyaf o asidau ac alcalïau, a gall Cotio CVD TaC atal difrod i'r swbstrad mewn amgylcheddau cyrydol yn effeithiol.
Pwynt toddi uchel: Mae gan carbid tantalum bwynt toddi uchel (tua 3880 ° C), sy'n caniatáu i CVD TaC Coating gael ei ddefnyddio mewn amodau tymheredd uchel eithafol heb doddi na diraddio.
Dargludedd thermol ardderchog: Mae gan cotio TaC ddargludedd thermol uchel, sy'n helpu i wasgaru gwres yn effeithiol mewn prosesau tymheredd uchel ac atal gorboethi lleol.
Ceisiadau posibl:
• Cydrannau adweithydd CVD epitaxial Gallium Nitride (GaN) a Silicon Carbide gan gynnwys cludwyr wafferi, dysglau lloeren, pennau cawod, nenfydau, ac atalyddion
• Cydrannau twf grisial carbid silicon, gallium nitride ac alwminiwm nitrid (AlN) gan gynnwys crucibles, dalwyr hadau, modrwyau tywys a ffilteri
• Cydrannau diwydiannol gan gynnwys elfennau gwresogi gwrthiant, nozzles chwistrellu, modrwyau masgio a jigiau presyddu
Nodweddion cais:
• Tymheredd sefydlog uwch na 2000°C, gan ganiatáu gweithrediad ar dymheredd eithafol
•Gwrthsefyll hydrogen (Hz), amonia (NH3), monosilane (SiH4) a silicon (Si), gan ddarparu amddiffyniad mewn amgylcheddau cemegol llym
• Mae ei wrthwynebiad sioc thermol yn galluogi cylchoedd gweithredu cyflymach
• Mae gan graffit adlyniad cryf, gan sicrhau bywyd gwasanaeth hir a dim delamination cotio.
• Purdeb tra-uchel i ddileu amhureddau neu halogion diangen
• Gorchudd gorchuddio cydffurfiol â goddefiannau dimensiwn tynn
Manylebau technegol:
Paratoi haenau carbid tantalwm trwchus gan CVD:
Gorchudd TAC gyda grisialu uchel ac unffurfiaeth ragorol:
Paramedrau Technegol CVD TAC COATING_Semicera:
Mae'r uchod yn werthoedd nodweddiadol.
