Piler carbid silicon bondio nitrid silicon

Silicon carbid silicon bondio nitrid

Mae deunydd gwrthsafol seramig SiC wedi'i fondio gan Si3N4, wedi'i gymysgu â powdr mân SIC pur uchel a phowdr Silicon, ar ôl cwrs castio slip, adwaith wedi'i sintro o dan 1400 ~ 1500 ° C. Yn ystod y cwrs sintro, gan lenwi'r Nitrogen pur uchel i'r ffwrnais, yna bydd y silicon yn adweithio â Nitrogen ac yn cynhyrchu Si3N4, Felly mae deunydd SiC wedi'i bondio â Si3N4 yn cynnwys nitrid silicon (23%) a charbid silicon (75%) fel prif ddeunydd crai. , wedi'i gymysgu â deunydd organig, a'i siapio trwy gymysgedd, allwthio neu arllwys, yna ei wneud ar ôl sychu a nitrogeneiddio.

Nodweddion a manteision:

1 .Hgoddefgarwch tymheredd igh
2.High dargludedd thermol a sioc ymwrthedd
3.High cryfder mecanyddol a chrafiadau ymwrthedd
Effeithlonrwydd ynni 4.Excellent a gwrthsefyll cyrydiad

Rydym yn darparu cydrannau cerameg NSiC o ansawdd uchel a manwl gywir sy'n prosesu trwy

1.Slip castio
2.Extruding
3.Uni Gwasgu Axial
Gwasgu 4.Isostatic

Taflen Ddata Deunydd