Susceptor Wafferi Graffit Gorchudd SiC

SiC Coating Graphite Wafer Susceptor Delwedd Sylw

Disgrifiad Byr:

Mae Susceptor Wafferi Graffit Gorchudd SiC Semiconductor yn darparu perfformiad thermol uwch a gwydnwch ar gyfer prosesu wafferi. Dibynnu ar Semicera ar gyfer atalyddion uwch wedi'u gorchuddio â SiC sydd wedi'u cynllunio i wella effeithlonrwydd a dibynadwyedd mewn cymwysiadau lled-ddargludyddion.

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Disgrifiad

Mae Susceptors Wafer SiC Semicera ar gyfer MOCVD (Dyddodiad Anwedd Cemegol Metel-Organig) yn cael eu peiriannu i fodloni gofynion manwl prosesau dyddodiad epitaxial. Gan ddefnyddio Silicon Carbide (SiC) o ansawdd uchel, mae'r atalyddion hyn yn cynnig gwydnwch a pherfformiad heb ei ail mewn amgylcheddau tymheredd uchel a chyrydol, gan sicrhau twf manwl gywir ac effeithlon o ddeunyddiau lled-ddargludyddion.

Nodweddion Allweddol:

1. Priodweddau Deunydd SuperiorWedi'u hadeiladu o SiC o radd uchel, mae ein dalwyr wafferi yn arddangos dargludedd thermol eithriadol a gwrthiant cemegol. Mae'r eiddo hyn yn eu galluogi i wrthsefyll amodau eithafol prosesau MOCVD, gan gynnwys tymereddau uchel a nwyon cyrydol, gan sicrhau hirhoedledd a pherfformiad dibynadwy.

2. Manwl mewn Dyddodiad EpitaxaiddMae union beirianneg ein Susceptors Wafferi SiC yn sicrhau dosbarthiad tymheredd unffurf ar draws wyneb y wafer, gan hwyluso twf haenau epitaxial cyson ac o ansawdd uchel. Mae'r manwl gywirdeb hwn yn hanfodol ar gyfer cynhyrchu lled-ddargludyddion sydd â'r priodweddau trydanol gorau posibl.

3. Gwydnwch GwellMae'r deunydd SiC cadarn yn darparu ymwrthedd ardderchog i draul a diraddio, hyd yn oed o dan amlygiad parhaus i amgylcheddau prosesau llym. Mae'r gwydnwch hwn yn lleihau amlder cyfnewid amnewidyddion, gan leihau amser segur a chostau gweithredu.