Cludwr SiC ar gyfer triniaeth gwres gwresogi cyflym RTP/RTA

Cludwr SiC ar gyfer triniaeth gwres gwres cyflym RTP/RTA Delwedd Sylw

Disgrifiad Byr:

Mae silicon carbid yn fath newydd o gerameg gyda pherfformiad cost uchel ac eiddo deunydd rhagorol. Oherwydd nodweddion fel cryfder a chaledwch uchel, ymwrthedd tymheredd uchel, dargludedd thermol gwych a gwrthiant cyrydiad cemegol, gall Silicon Carbide bron wrthsefyll pob cyfrwng cemegol. Felly, defnyddir SiC yn eang mewn mwyngloddio olew, cemegol, peiriannau a gofod awyr, mae gan hyd yn oed ynni niwclear a'r fyddin eu gofynion arbennig ar SIC. Rhai cymhwysiad arferol y gallwn ei gynnig yw modrwyau sêl ar gyfer pwmp, falf ac arfwisg amddiffynnol ac ati.

Rydym yn gallu dylunio a gweithgynhyrchu yn ôl eich dimensiynau penodol gydag ansawdd da ac amser dosbarthu rhesymol.

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Disgrifiad

Mae ein cwmni'n darparu gwasanaethau proses cotio SiC trwy ddull CVD ar wyneb graffit, cerameg a deunyddiau eraill, fel bod nwyon arbennig sy'n cynnwys carbon a silicon yn adweithio ar dymheredd uchel i gael moleciwlau SiC purdeb uchel, moleciwlau a adneuwyd ar wyneb y deunyddiau gorchuddio, ffurfio haen amddiffynnol SIC.

Prif Nodweddion

1. Gwrthiant ocsideiddio tymheredd uchel:
mae'r ymwrthedd ocsideiddio yn dal yn dda iawn pan fo'r tymheredd mor uchel â 1600 C.
2. purdeb uchel: wedi'i wneud gan ddyddodiad anwedd cemegol o dan gyflwr clorineiddio tymheredd uchel.
3. Gwrthiant erydiad: caledwch uchel, arwyneb cryno, gronynnau mân.
4. ymwrthedd cyrydiad: adweithyddion asid, alcali, halen ac organig.

Prif Fanylebau Gorchudd CVD-SIC

Priodweddau SiC-CVD
Strwythur grisial	FCC β cyfnod
Dwysedd	g/cm ³	3.21
Caledwch	Vickers caledwch	2500
Maint Grawn	μm	2 ~ 10
Purdeb Cemegol	%	99.99995
Cynhwysedd Gwres	J·kg-1 ·K-1	640
Tymheredd sublimation	℃	2700
Cryfder Felexural	MPa (RT 4-pwynt)	415
Modwlws Young	Gpa (tro 4pt, 1300 ℃)	430
Ehangu Thermol (CTE)	10-6K-1	4.5
Dargludedd thermol	(W/mK)	300