Yn y maes lled-ddargludyddion, mae sefydlogrwydd pob cydran yn bwysig iawn ar gyfer y broses gyfan. Fodd bynnag, mewn amgylchedd tymheredd uchel, mae graffit yn cael ei ocsidio a'i golli'n hawdd, a gall cotio SiC ddarparu amddiffyniad sefydlog ar gyfer rhannau graffit. Yn ySemiceratîm, mae gennym ein hoffer prosesu puro graffit ein hunain, a all reoli purdeb graffit o dan 5ppm. Mae purdeb y cotio carbid silicon yn is na 0.5 ppm.
✓ Ansawdd uchaf ym marchnad Tsieina
✓ Gwasanaeth da bob amser i chi, 7 * 24 awr
✓ Dyddiad cyflwyno byr
✓ Croesewir MOQ Bach a'i dderbyn
✓ Gwasanaethau cwsmeriaid
Atalydd Twf Epitaxy
Mae angen i wafferi carbid silicon/silicon fynd trwy brosesau lluosog i'w defnyddio mewn dyfeisiau electronig. Proses bwysig yw epitacsi silicon/sic, lle mae wafferi silicon/sic yn cael eu cario ar sylfaen graffit. Mae manteision arbennig sylfaen graffit wedi'i orchuddio â charbid silicon Semicera yn cynnwys purdeb uchel iawn, cotio unffurf, a bywyd gwasanaeth hynod o hir. Mae ganddynt hefyd ymwrthedd cemegol uchel a sefydlogrwydd thermol.
Cynhyrchu Sglodion LED
Yn ystod cotio helaeth yr adweithydd MOCVD, mae'r sylfaen blanedol neu'r cludwr yn symud y wafer swbstrad. Mae perfformiad y deunydd sylfaen yn cael dylanwad mawr ar ansawdd y cotio, sydd yn ei dro yn effeithio ar gyfradd sgrap y sglodion. Mae sylfaen gorchuddio carbid silicon Semicera yn cynyddu effeithlonrwydd gweithgynhyrchu wafferi LED o ansawdd uchel ac yn lleihau gwyriad tonfedd. Rydym hefyd yn cyflenwi cydrannau graffit ychwanegol ar gyfer yr holl adweithyddion MOCVD a ddefnyddir ar hyn o bryd. Gallwn orchuddio bron unrhyw gydran â gorchudd carbid silicon, hyd yn oed os yw diamedr y gydran hyd at 1.5M, gallwn ddal i orchuddio â charbid silicon.
Maes Lled-ddargludyddion, Proses Tryledu Ocsidiad, Etc.
Yn y broses lled-ddargludyddion, mae angen purdeb cynnyrch uchel ar y broses ehangu ocsideiddio, ac yn Semicera rydym yn cynnig gwasanaethau cotio CVD ac arfer ar gyfer y mwyafrif o rannau carbid silicon.
Mae'r llun canlynol yn dangos y slyri carbid silicon garw o Semicea a'r tiwb ffwrnais carbid silicon sy'n cael ei lanhau yn y 1000-lefeldi-lwchystafell. Mae ein gweithwyr yn gweithio cyn cotio. Gall purdeb ein carbid silicon gyrraedd 99.99%, ac mae purdeb cotio sic yn fwy na 99.99995%.
Padlo Carbide Silicon Raw a thiwb Proses SiC yn Cleaing
Cwch Wafer Silicon Carbide CVD SiC wedi'i orchuddio
