Susceptor Twf Crisial Gorchuddio Silicon Carbide

Disgrifiad Byr:

Mae Semicera yn cynnig ystod gynhwysfawr o susceptors a chydrannau graffit a gynlluniwyd ar gyfer adweithyddion epitacsi amrywiol.

Trwy bartneriaethau strategol ag OEMs sy'n arwain y diwydiant, arbenigedd deunyddiau helaeth, a galluoedd gweithgynhyrchu uwch, mae Semicera yn darparu dyluniadau wedi'u teilwra i fodloni gofynion penodol eich cais. Mae ein hymrwymiad i ragoriaeth yn sicrhau eich bod yn derbyn yr atebion gorau posibl ar gyfer eich anghenion adweithydd epitaxy.

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Mae ein cwmni'n darparuCotio SiCgwasanaethau prosesu ar wyneb graffit, cerameg a deunyddiau eraill trwy ddull CVD, fel y gall nwyon arbennig sy'n cynnwys carbon a silicon ymateb ar dymheredd uchel i gael moleciwlau Sic purdeb uchel, y gellir eu hadneuo ar wyneb deunyddiau wedi'u gorchuddio i ffurfio aHaen amddiffynnol SiCar gyfer casgen epitaxy math hy pnotig.

Prif nodweddion:

1 .High purdeb SiC graffit gorchuddio

2. Superior gwres ymwrthedd & thermol unffurfiaeth

3. GainSiC grisial wedi'i orchuddioar gyfer wyneb llyfn

4. Gwydnwch uchel yn erbyn glanhau cemegol

Prif Fanylebau oGorchudd CVD-SIC

Priodweddau SiC-CVD
Strwythur grisial	FCC β cyfnod
Dwysedd	g/cm ³	3.21
Caledwch	Vickers caledwch	2500
Maint Grawn	μm	2 ~ 10
Purdeb Cemegol	%	99.99995
Cynhwysedd Gwres	J·kg-1 ·K-1	640
Tymheredd sublimation	℃	2700
Cryfder Felexural	MPa (RT 4-pwynt)	415
Modwlws Young	Gpa (tro 4pt, 1300 ℃)	430
Ehangu Thermol (CTE)	10-6K-1	4.5
Dargludedd thermol	(W/mK)	300