-
Proses gynhyrchu wafferi silicon carbid
Mae wafer silicon carbid wedi'i wneud o bowdr silicon purdeb uchel a phowdr carbon purdeb uchel fel deunyddiau crai, ac mae grisial carbid silicon yn cael ei dyfu trwy ddull trosglwyddo anwedd corfforol (PVT), a'i brosesu i wafer carbid silicon. Synthesis deunydd crai 1.: Sili purdeb uchel ...Darllen mwy -
Hanes Silicon carbid a Chaenu Carbide Silicon Cais
Datblygiad a Chymwysiadau Silicon Carbide (SiC) 1. Canrif o Arloesedd yn SiC Dechreuodd taith carbid silicon (SiC) ym 1893, pan ddyluniodd Edward Goodrich Acheson ffwrnais Acheson, gan ddefnyddio deunyddiau carbon i gyflawni cynhyrchiad diwydiannol SiC fed. ..Darllen mwy -
Gorchuddion carbid silicon: Datblygiadau newydd mewn gwyddoniaeth deunyddiau
Gyda datblygiad gwyddoniaeth a thechnoleg, mae'r cotio carbid silicon deunydd newydd yn newid ein bywydau yn raddol. Mae'r cotio hwn, sy'n cael ei baratoi ar wyneb rhannau trwy ddyddodiad anwedd ffisegol neu gemegol, chwistrellu a dulliau eraill, wedi denu llawer o sylw...Darllen mwy -
Bargen Graffit Gorchuddiedig SiC
Fel un o gydrannau craidd offer MOCVD, sylfaen graffit yw corff cludwr a gwresogi'r swbstrad, sy'n pennu'n uniongyrchol unffurfiaeth a phurdeb y deunydd ffilm, felly mae ei ansawdd yn effeithio'n uniongyrchol ar baratoi'r daflen epitaxial, ac yn y . ..Darllen mwy -
Dull ar gyfer paratoi cotio carbid silicon
Ar hyn o bryd, mae dulliau paratoi cotio SiC yn bennaf yn cynnwys dull gel-sol, dull ymgorffori, dull cotio brwsh, dull chwistrellu plasma, dull adwaith nwy cemegol (CVR) a dull dyddodiad anwedd cemegol (CVD). Dull ymgorffori: Mae'r dull yn fath o uchel ...Darllen mwy -
Llongyfarchiadau i'n （ Semicera ）, partner, SAN 'An Optoelectronics, ar y cynnydd ym mhris stoc
24 Hydref - Dringodd cyfranddaliadau yn San'an Optoelectronics gymaint â 3.8 heddiw ar ôl i'r gwneuthurwr lled-ddargludyddion Tsieineaidd ddweud bod ei ffatri carbid silicon, a fydd yn cyflenwi menter ar y cyd sglodion ceir y cwmni gyda chawr technoleg y Swistir ST Microelectronics unwaith y bydd wedi'i orffen. .Darllen mwy -
Rhagofalon ar gyfer defnyddio rhannau strwythurol ceramig alwmina
Yn ystod y blynyddoedd diwethaf, mae cerameg alwmina wedi cael ei ddefnyddio'n helaeth mewn meysydd pen uchel megis offeryniaeth, triniaeth feddygol bwyd, ffotofoltäig solar, offer mecanyddol a thrydanol, lled-ddargludyddion laser, peiriannau petrolewm, diwydiant milwrol modurol, awyrofod ac eraill ...Darllen mwy -
Strwythur deunydd a phriodweddau carbid silicon sintered o dan bwysau atmosfferig
【Disgrifiad cryno 】 Mewn C, N, B modern a deunyddiau crai anhydrin uwch-dechnoleg di-ocsid eraill, mae carbid silicon sintered pwysedd atmosfferig yn helaeth ac yn economaidd, a gellir dweud ei fod yn emeri neu'n dywod anhydrin. Mae carbid silicon pur yn dryloyw di-liw ...Darllen mwy -
Dull gweithgynhyrchu ar gyfer cludo dyfais tiwb ffwrnais carbid silicon
Mae gan diwb ffwrnais silicon carbid dymheredd uchel, ymwrthedd gwisgo, ymwrthedd cyrydiad, caledwch uchel, cryfder uchel, dargludedd thermol uchel, perfformiad newid sydyn oer a phoeth uchel, ymwrthedd ocsideiddio da ac eiddo rhagorol eraill, mewn amrywiaeth o wres ...Darllen mwy -
Prif gydrannau a chymwysiadau carbid silicon sintered pwysedd atmosfferig
[Disgrifiad cryno] Mae carbid silicon sintered pwysedd atmosfferig yn garbid anfetelaidd wedi'i gyfuno â bondiau cofalent silicon a charbon, ac mae ei galedwch yn ail yn unig i garbid diemwnt a boron. Y fformiwla gemegol yw SiC. Crisialau di-liw, glas a du mewn...Darllen mwy -
Chwe manteision o bwysau atmosfferig sintered silicon carbid a chymhwyso serameg silicon carbide
Nid yw carbid silicon sintered pwysedd atmosfferig bellach yn cael ei ddefnyddio fel sgraffiniol yn unig, ond yn fwy fel deunydd newydd, ac fe'i defnyddir yn eang mewn cynhyrchion uwch-dechnoleg, megis cerameg wedi'i wneud o ddeunyddiau carbid silicon. Felly beth yw chwe mantais sintro gwasgedd atmosfferig...Darllen mwy -
Sut i gynhyrchu tiwbiau ffwrnais carbid silicon?
Sut i gynhyrchu tiwbiau ffwrnais carbid silicon? Yn gyntaf, mae angen inni gadarnhau mai carbid silicon yw'r prif ddeunydd crai, ac mae carbid silicon yn cael ei ffurfio ar ôl tymheredd uchel. Mae gan y deunydd a gafwyd wrthwynebiad tymheredd uchel, dargludedd thermol cyflym, cryfder uchel ...Darllen mwy