Sylfaen graffit wedi'i gorchuddio â SiC

Fel un o gydrannau craiddOffer MOCVD, sylfaen graffit yw corff cludwr a gwresogi'r swbstrad, sy'n pennu'n uniongyrchol unffurfiaeth a phurdeb y deunydd ffilm, felly mae ei ansawdd yn effeithio'n uniongyrchol ar baratoi'r daflen epitaxial, ac ar yr un pryd, gyda chynnydd y nifer o defnyddiau a newid amodau gwaith, mae'n hawdd iawn i'w gwisgo, sy'n perthyn i'r nwyddau traul.

Er bod gan graffit ddargludedd thermol rhagorol a sefydlogrwydd, mae ganddo fantais dda fel elfen sylfaenol oOffer MOCVD, ond yn y broses gynhyrchu, bydd graffit yn cyrydu'r powdr oherwydd gweddillion nwyon cyrydol a organig metelaidd, a bydd bywyd gwasanaeth y sylfaen graffit yn cael ei leihau'n fawr.Ar yr un pryd, bydd y powdr graffit cwympo yn achosi llygredd i'r sglodion.

Gall ymddangosiad technoleg cotio ddarparu gosodiad powdr arwyneb, gwella dargludedd thermol, a chydraddoli dosbarthiad gwres, sydd wedi dod yn brif dechnoleg i ddatrys y broblem hon.Sylfaen graffit i mewnOffer MOCVDamgylchedd defnydd, dylai cotio wyneb sylfaen graffit fodloni'r nodweddion canlynol:

(1) Gall y sylfaen graffit gael ei lapio'n llawn, ac mae'r dwysedd yn dda, fel arall mae'n hawdd cyrydu'r sylfaen graffit yn y nwy cyrydol.

(2) Mae cryfder y cyfuniad â'r sylfaen graffit yn uchel i sicrhau nad yw'r cotio yn hawdd i ddisgyn ar ôl sawl cylch tymheredd uchel a thymheredd isel.

(3) Mae ganddo sefydlogrwydd cemegol da i osgoi methiant cotio mewn tymheredd uchel ac awyrgylch cyrydol.

Mae gan SiC fanteision ymwrthedd cyrydiad, dargludedd thermol uchel, ymwrthedd sioc thermol a sefydlogrwydd cemegol uchel, a gall weithio'n dda yn awyrgylch epitaxial GaN.Yn ogystal, nid yw cyfernod ehangu thermol SiC yn wahanol iawn i graffit, felly SiC yw'r deunydd a ffefrir ar gyfer gorchuddio wyneb sylfaen graffit.

Ar hyn o bryd, mae'r SiC cyffredin yn bennaf yn fath 3C, 4H a 6H, ac mae'r defnydd SiC o wahanol fathau o grisial yn wahanol.Er enghraifft, gall 4H-SiC gynhyrchu dyfeisiau pŵer uchel;6H-SiC yw'r mwyaf sefydlog a gall gynhyrchu dyfeisiau ffotodrydanol;Oherwydd ei strwythur tebyg i GaN, gellir defnyddio 3C-SiC i gynhyrchu haen epitaxial GaN a gweithgynhyrchu dyfeisiau RF SiC-GaN.Gelwir 3C-SiC hefyd yn gyffredinβ-SiC, a defnydd pwysig oβ-SiC fel ffilm a deunydd cotio, fellyβ-SiC ar hyn o bryd yw'r prif ddeunydd ar gyfer cotio.