Wafer carbid siliconwedi'i wneud o bowdr silicon purdeb uchel a phowdr carbon purdeb uchel fel deunyddiau crai, ac mae grisial carbid silicon yn cael ei dyfu trwy ddull trosglwyddo anwedd corfforol (PVT), a'i brosesu i mewn iwafer carbid silicon.
① Synthesis deunydd crai.Cymysgwyd powdr silicon purdeb uchel a phowdr carbon purdeb uchel yn ôl cymhareb benodol, a chafodd gronynnau carbid silicon eu syntheseiddio ar dymheredd uchel uwchlaw 2,000 ℃.Ar ôl malu, glanhau a phrosesau eraill, mae'r deunyddiau crai powdr carbid silicon purdeb uchel sy'n bodloni gofynion twf grisial yn cael eu paratoi.
② Twf grisial.Gan ddefnyddio powdr SIC purdeb uchel fel deunydd crai, tyfwyd y grisial trwy ddull trosglwyddo anwedd corfforol (PVT) gan ddefnyddio ffwrnais twf grisial hunanddatblygedig.
③ prosesu ingot.Cafodd yr ingot grisial carbid silicon a gafwyd ei gyfeirio gan gyfeiriannydd grisial sengl pelydr-X, yna ei falu a'i rolio, a'i brosesu i grisial carbid silicon diamedr safonol.
④ Torri grisial.Gan ddefnyddio offer torri aml-linell, mae crisialau carbid silicon yn cael eu torri'n ddalennau tenau gyda thrwch o ddim mwy na 1mm.
⑤ malu sglodion.Mae'r wafer yn ddaear i'r gwastadrwydd a'r garwder a ddymunir gan hylifau malu diemwnt o wahanol feintiau gronynnau.
⑥ sgleinio sglodion.Cafwyd y carbid silicon caboledig heb ddifrod arwyneb trwy sgleinio mecanyddol a sgleinio mecanyddol cemegol.
⑦ Canfod sglodion.Defnyddiwch ficrosgop optegol, diffractomedr pelydr-X, microsgop grym atomig, profwr gwrthedd digyswllt, profwr gwastadrwydd wyneb, profwr cynhwysfawr diffygion arwyneb ac offer ac offer eraill i ganfod dwysedd microtiwb, ansawdd grisial, garwedd arwyneb, gwrthedd, rhyfel, crymedd, newid trwch, crafu wyneb a pharamedrau eraill o wafer silicon carbid.Yn ôl hyn, pennir lefel ansawdd y sglodion.
⑧ Glanhau sglodion.Mae'r daflen sgleinio carbid silicon yn cael ei glanhau gydag asiant glanhau a dŵr pur i gael gwared ar yr hylif sgleinio gweddilliol a baw arwyneb arall ar y daflen sgleinio, ac yna caiff y wafer ei chwythu a'i ysgwyd yn sych gan nitrogen purdeb uwch-uchel a pheiriant sychu;Mae'r wafer wedi'i amgáu mewn blwch dalen lân mewn siambr uwch-lân i ffurfio wafer carbid silicon parod i'w ddefnyddio i lawr yr afon.
Po fwyaf yw maint y sglodion, y mwyaf anodd yw'r twf crisial cyfatebol a thechnoleg prosesu, a'r uchaf yw effeithlonrwydd gweithgynhyrchu dyfeisiau i lawr yr afon, yr isaf yw'r gost uned.
Amser postio: Tachwedd-24-2023