LiNbO3 Waffer bondio

Disgrifiad Byr:

Mae gan grisial lithiwm niobate briodweddau electro-optegol, acwsto-optegol, piezoelectrig ac aflinol rhagorol. Mae grisial niobate lithiwm yn grisial amlswyddogaethol pwysig gydag eiddo optegol aflinol da a chyfernod optegol aflinol mawr; gall hefyd gyflawni paru cyfnod anfeirniadol. Fel grisial electro-optegol, fe'i defnyddiwyd fel deunydd tonnau optegol pwysig; fel grisial piezoelectrig, gellir ei ddefnyddio i wneud hidlwyr SAW amledd canolig ac isel, trawsddygiaduron ultrasonic pŵer uchel sy'n gwrthsefyll tymheredd uchel, ac ati. Mae deunyddiau niobate lithiwm wedi'u dopio hefyd yn cael eu defnyddio'n helaeth.

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Mae Wafer Bondio LiNbO3 Semicera wedi'i gynllunio i fodloni gofynion uchel gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion uwch. Gyda'i briodweddau eithriadol, gan gynnwys ymwrthedd gwisgo uwch, sefydlogrwydd thermol uchel, a phurdeb rhagorol, mae'r wafer hwn yn ddelfrydol i'w ddefnyddio mewn cymwysiadau sy'n gofyn am berfformiad manwl gywir a hirhoedlog.

Yn y diwydiant lled-ddargludyddion, defnyddir Wafferi Bondio LiNbO3 yn gyffredin ar gyfer bondio haenau tenau mewn dyfeisiau optoelectroneg, synwyryddion, ac ICs uwch. Maent yn cael eu gwerthfawrogi'n arbennig mewn ffotoneg a MEMS (Systemau Micro-Electromecanyddol) oherwydd eu priodweddau deuelectrig rhagorol a'u gallu i wrthsefyll amodau gweithredu llym. Mae Wafer Bondio LiNbO3 Semicera wedi'i beiriannu i gefnogi bondio haenau manwl gywir, gan wella perfformiad cyffredinol a dibynadwyedd dyfeisiau lled-ddargludyddion.

Priodweddau thermol a thrydanol LiNbO3
Ymdoddbwynt	1250 ℃
Tymheredd Curie	1140 ℃
Dargludedd thermol	38 W/m/K @ 25 ℃
Cyfernod ehangu thermol (@ 25 ° C)	//a, 2.0×10^-6/K //c，2.2×10^-6/K
Gwrthedd	2×10^-6Ω·cm @ 200 ℃
Cyson dielectrig	εS11/ε0=43, εT11/ε0=78 εS33/ε0=28, εT33/ε0=2
Cyson piezoelectrig	D₂₂=2.04×10^-11C/N D₃₃=19.22×10^-11C/N
Cyfernod electro-optig	γT₃₃=32 pm/V, γS₃₃=31pm/V, γT₃₁=10 pm/V, γS₃₁=8.6 pm/V, γT₂₂=6.8 pm/V, γS₂₂=3.4 pm/V,
Foltedd hanner ton, DC Maes trydan // z, golau ⊥ Z; Maes trydan // x neu y, golau ⊥ z	3.03 KV 4.02 KV

Wedi'i grefftio gan ddefnyddio deunyddiau o ansawdd uchel, mae Waffer Bondio LiNbO3 yn sicrhau dibynadwyedd cyson hyd yn oed o dan amodau eithafol. Mae ei sefydlogrwydd thermol uchel yn ei gwneud yn arbennig o addas ar gyfer amgylcheddau sy'n cynnwys tymereddau uchel, fel y rhai a geir mewn prosesau epitaxy lled-ddargludyddion. Yn ogystal, mae purdeb uchel y wafer yn sicrhau ychydig iawn o halogiad, gan ei wneud yn ddewis dibynadwy ar gyfer cymwysiadau lled-ddargludyddion hanfodol.

Yn Semicera, rydym wedi ymrwymo i ddarparu atebion sy'n arwain y diwydiant. Mae ein Wafer Bondio LiNbO3 yn darparu gwydnwch heb ei ail a galluoedd perfformiad uchel ar gyfer cymwysiadau sy'n gofyn am burdeb uchel, ymwrthedd gwisgo a sefydlogrwydd thermol. Boed ar gyfer cynhyrchu lled-ddargludyddion uwch neu dechnolegau arbenigol eraill, mae'r waffer hon yn elfen hanfodol ar gyfer gweithgynhyrchu dyfeisiau blaengar.