Powdwr SiC purdeb uchel

Disgrifiad Byr:

Mae gan Powdwr SiC purdeb uchel gan Semicera gynnwys carbon a silicon eithriadol o uchel, gyda lefelau purdeb yn amrywio o 4N i 6N. Gyda meintiau gronynnau o nanometrau i ficromedrau, mae ganddo arwynebedd arwyneb penodol mawr. Mae powdr SiC Semicera yn gwella adweithedd, gwasgaredd, a gweithgaredd arwyneb, sy'n ddelfrydol ar gyfer cymwysiadau deunydd uwch.

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Silicon carbid (SiC)yn prysur ddod yn ddewis a ffefrir dros silicon ar gyfer cydrannau electronig, yn enwedig mewn cymwysiadau bandgap eang. Mae SiC yn cynnig gwell effeithlonrwydd pŵer, maint cryno, llai o bwysau, a chostau system cyffredinol is.

Mae'r galw am bowdrau SiC purdeb uchel yn y diwydiannau electroneg a lled-ddargludyddion wedi gyrru Semicera i ddatblygu purdeb uchel uwchraddolpowdr SiC. Mae dull arloesol Semicera ar gyfer cynhyrchu SiC purdeb uchel yn arwain at bowdrau sy'n dangos newidiadau morffoleg llyfnach, defnydd arafach o ddeunyddiau, a rhyngwynebau twf mwy sefydlog mewn setiau twf grisial.

Mae ein powdr SiC purdeb uchel ar gael mewn gwahanol feintiau a gellir ei addasu i fodloni gofynion penodol cwsmeriaid. I gael rhagor o fanylion ac i drafod eich prosiect, cysylltwch â Semicera.