Cludwr/Suceptor SiC purdeb uchel

Delwedd dan Sylw Cludwr/Suddiant SiC purdeb uchel

Disgrifiad Byr:

Gelwir disg dwyn carbid silicon hefyd yn hambwrdd SIC, disg ysgythru carbid silicon, disg ysgythru ICP. Mae hambwrdd carbid silicon ar gyfer ysgythru LED (hambwrdd SiC) φ600mm yn affeithiwr arbennig ar gyfer ysgythru silicon dwfn (peiriant ysgythru ICP).

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Disgrifiad

Mae gan serameg carbid silicon briodweddau mecanyddol rhagorol ar dymheredd ystafell, megis cryfder uchel, caledwch uchel, modwlws elastig uchel, ac ati, mae ganddo hefyd sefydlogrwydd tymheredd uchel rhagorol fel dargludedd thermol uchel, cyfernod ehangu thermol isel, ac anystwythder penodol da ac optegol perfformiad prosesu.
Maent yn arbennig o addas ar gyfer cynhyrchu rhannau cerameg manwl gywir ar gyfer offer cylched integredig fel peiriannau lithograffeg, a ddefnyddir yn bennaf i gynhyrchu'r cludwr / daliwr SiC, cwch waffer SiC, disg sugno, plât oeri dŵr, adlewyrchydd mesur manwl gywir, gratio a rhannau strwythurol ceramig eraill.

cludwr2

cludwr3

cludwr4

Manteision

Gwrthiant tymheredd uchel: defnydd arferol ar 1800 ℃
Dargludedd thermol uchel: sy'n cyfateb i ddeunydd graffit
Caledwch uchel: caledwch yn ail yn unig i diemwnt, boron nitrid
Gwrthiant cyrydiad: nid oes gan asid cryf ac alcali unrhyw gyrydiad iddo, mae'r ymwrthedd cyrydiad yn well na charbid twngsten ac alwmina
Pwysau ysgafn: dwysedd isel, yn agos at alwminiwm
Dim dadffurfiad: cyfernod isel o ehangu thermol
Gwrthiant sioc thermol: gall wrthsefyll newidiadau tymheredd sydyn, gwrthsefyll sioc thermol, ac mae ganddo berfformiad sefydlog
Defnyddir cludwr carbid silicon fel cludwr ysgythru sic, susceptor ysgythru ICP, yn eang mewn CVD lled-ddargludyddion, sputtering gwactod ac ati Gallwn ddarparu cludwyr wafferi wedi'u teilwra o silicon a deunyddiau carbid silicon i gwsmeriaid i gwrdd â gwahanol gymwysiadau.

Manteision

Eiddo	Gwerth	Dull
Dwysedd	3.21 g/cc	Sinc-float a dimensiwn
Gwres penodol	0.66 J/g °K	Fflach laser pwls
Cryfder hyblyg	450 MPa560 MPa	Tro 4 pwynt, tro pwynt RT4, 1300 °
Gwydnwch torri asgwrn	2.94 MPa m1/2	Microindentation
Caledwch	2800	Vicker's, llwyth 500g
Modwlws Elastig ModwlwsYoung	450 GPa430 GPa	Tro 4 pt, tro RT4 pt, 1300 ° C
Maint grawn	2 – 10 µm	SEM

Proffil Cwmni

Mae WeiTai Energy Technology Co, Ltd yn gyflenwr blaenllaw o serameg lled-ddargludyddion uwch a'r unig wneuthurwr yn Tsieina sy'n gallu darparu serameg carbid silicon purdeb uchel ar yr un pryd (yn enwedig y SiC Recrystallized) a cotio CVD SiC. Yn ogystal, mae ein cwmni hefyd wedi ymrwymo i feysydd ceramig megis alwmina, nitrid alwminiwm, zirconia, a nitrid silicon, ac ati.

Ein prif gynnyrch gan gynnwys: disg ysgythru carbid silicon, tynnu cwch carbid silicon, cwch wafferi carbid silicon (Ffotofoltäig a Lled-ddargludydd), tiwb ffwrnais carbid silicon, padl cantilifer carbid silicon, chucks carbid silicon, trawst carbid silicon, yn ogystal â'r cotio CVD SiC a TaC cotio. Y cynhyrchion a ddefnyddir yn bennaf yn y diwydiannau lled-ddargludyddion a ffotofoltäig, megis offer ar gyfer twf grisial, epitacsi, ysgythru, pecynnu, cotio a ffwrneisi tryledu, ac ati.
tua (2)