Cyflwyniad i Gorchudd Carbid Silicon
Mae ein gorchudd Dyddodiad Anwedd Cemegol (CVD) Silicon Carbide (SiC) yn haen hynod wydn sy'n gwrthsefyll traul, sy'n ddelfrydol ar gyfer amgylcheddau sy'n gofyn am cyrydu uchel a gwrthiant thermol.Cotio Silicon Carbideyn cael ei gymhwyso mewn haenau tenau ar swbstradau amrywiol trwy'r broses CVD, gan gynnig nodweddion perfformiad uwch.
Nodweddion Allweddol
● -Purdeb Eithriadol: Brolio cyfansoddiad ultra-pur o99.99995%, einCotio SiCyn lleihau risgiau halogiad mewn gweithrediadau lled-ddargludyddion sensitif.
● -Superior Resistance: Yn dangos ymwrthedd ardderchog i draul a chorydiad, gan ei wneud yn berffaith ar gyfer gosodiadau cemegol a phlasma heriol.
● -High Thermol Dargludedd: Yn sicrhau perfformiad dibynadwy o dan dymheredd eithafol oherwydd ei briodweddau thermol rhagorol.
● -Dimensional Sefydlogrwydd: Yn cynnal cywirdeb strwythurol ar draws ystod eang o dymheredd, diolch i'w gyfernod ehangu thermol isel.
● -Caledwch Gwell: Gyda gradd caledwch o40 GPa, mae ein cotio SiC yn gwrthsefyll effaith a sgraffiniad sylweddol.
● -Smooth Arwyneb Gorffen: Yn darparu gorffeniad tebyg i ddrych, gan leihau cynhyrchu gronynnau a gwella effeithlonrwydd gweithredol.
Ceisiadau
Semicera haenau SiCyn cael eu defnyddio mewn gwahanol gamau o weithgynhyrchu lled-ddargludyddion, gan gynnwys:
● -Ffabrigo sglodion LED
● -Cynhyrchu Polysilicon
● -Twf Crisial Lled-ddargludyddion
● -Silicon a SiC Epitaxy
● -Ocsidiad Thermol a Trylediad (TO&D)
Rydym yn cyflenwi cydrannau wedi'u gorchuddio â SiC wedi'u crefftio o graffit isostatig cryfder uchel, carbon wedi'i atgyfnerthu â ffibr carbon a charbid silicon wedi'i ailgrisialu 4N, wedi'i deilwra ar gyfer adweithyddion gwely hylif,Trawsnewidyddion STC-TCS, adlewyrchyddion uned CZ, cwch waffer SiC, padl SiCwafer, tiwb wafferi SiC, a chludwyr wafferi a ddefnyddir mewn prosesau PECVD, epitaxy silicon, MOCVD.
Budd-daliadau
● -Hyoes Estynedig: Yn lleihau amser segur offer a chostau cynnal a chadw yn sylweddol, gan wella effeithlonrwydd cynhyrchu cyffredinol.
● -Gwella Ansawdd: Yn cyflawni arwynebau purdeb uchel sy'n angenrheidiol ar gyfer prosesu lled-ddargludyddion, gan hybu ansawdd y cynnyrch.
● -Cynyddu Effeithlonrwydd: Yn optimeiddio prosesau thermol a CVD, gan arwain at amseroedd beicio byrrach a chynnyrch uwch.
Manylebau Technegol
● -Adeiledd: FCC β polycrystaline cyfnod, yn bennaf (111) oriented
● -Dwysedd: 3.21 g / cm³
● -Caledwch: 2500 caledwch Vicks (llwyth 500g)
● -Cadernid torri asgwrn: 3.0 MPa·m1/2
● -Cyfernod Ehangu Thermol (100-600 °C): 4.3 x 10-6k-1
● - Modwlws Elastig (1300 ℃):435 GPa
● -Trwch Ffilm Nodweddiadol:100 µm
● -Arwynebedd Garwedd:2-10 µm
Data Purdeb (Mesurwyd gan Sbectrosgopeg Màs Rhyddhau Glow)
| Elfen | ppm | Elfen | ppm |
| Li | < 0.001 | Cu | < 0.01 |
| Be | < 0.001 | Zn | < 0.05 |
| Al | < 0.04 | Ga | < 0.01 |
| P | < 0.01 | Ge | < 0.05 |
| S | < 0.04 | As | < 0.005 |
| K | < 0.05 | In | < 0.01 |
| Ca | < 0.05 | Sn | < 0.01 |
| Ti | < 0.005 | Sb | < 0.01 |
| V | < 0.001 | W | < 0.05 |
| Cr | < 0.05 | Te | < 0.01 |
| Mn | < 0.005 | Pb | < 0.01 |
| Fe | < 0.05 | Bi | < 0.05 |
| Ni | < 0.01 |
|
