Plât silicon carbid bondio silicon nitrid

Disgrifiad Byr:

Si3N4 bondio SiC fel deunydd anhydrin math newydd, yn cael ei ddefnyddio yn eang. Mae'r tymheredd cymhwyso yn 1400 C. Mae ganddo sefydlogrwydd thermol gwell, sioc thermol, sy'n well na deunydd anhydrin plaen.-Gall ocsidiad, gwrthsefyll cyrydiad uchel, gwrthsefyll traul, cryfder plygu uchel wrthsefyll cyrydiad a sgwrio, peidio â bod yn ddargludiad gwres llygredig a chyflym mewn metel tawdd fel AL, Pb, Zn, Cu ect.

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Silicon carbid silicon bondio nitrid

Mae deunydd anhydrin ceramig SiC wedi'i fondio gan Si3N4, wedi'i gymysgu â powdr mân SIC pur uchel a phowdr Silicon, ar ôl cwrs castio slip, adwaith wedi'i sintro o dan 1400 ~ 1500 ° C.Yn ystod y cwrs sintro, gan lenwi'r Nitrogen pur uchel i'r ffwrnais, yna bydd y silicon yn adweithio â Nitrogen ac yn cynhyrchu Si3N4, Felly mae deunydd SiC wedi'i bondio â Si3N4 yn cynnwys nitrid silicon (23%) a charbid silicon (75%) fel prif ddeunydd crai. , wedi'i gymysgu â deunydd organig, a'i siapio trwy gymysgedd, allwthio neu arllwys, yna ei wneud ar ôl sychu a nitrogeneiddio.

Nodweddion a manteision:

1 .Hgoddefgarwch tymheredd igh
2.High dargludedd thermol a sioc ymwrthedd
3.High cryfder mecanyddol a chrafiadau ymwrthedd
Effeithlonrwydd ynni 4.Excellent a gwrthsefyll cyrydiad

Rydym yn darparu cydrannau cerameg NSiC o ansawdd uchel a manwl gywir sy'n prosesu trwy

1.Slip castio
2.Extruding
3.Uni Gwasgu Axial
Gwasgu 4.Isostatic

Taflen Ddata Deunydd

>Cyfansoddiad Cemegol	Sic	75%
	Si3N4	≥23%
	Rhydd Si	0%
Dwysedd swmp (g/cm3)		2.70～2.80
mandylledd ymddangosiadol (%)		12～15
Cryfder plygu ar 20 ℃ (MPa)		180～190
Cryfder plygu ar 1200 ℃ (MPa)		207
Cryfder plygu ar 1350 ℃ (MPa)		210
Cryfder cywasgol ar 20 ℃ (MPa)		580
Dargludedd thermol ar 1200 ℃ (w / mk)		19.6
Cyfernod ehangu thermol ar 1200 ℃ (x 10-6 /C)		4.70
Gwrthiant sioc thermol		Ardderchog
Max.tymheredd (℃)		1600

Silicon nitride bondio silicon carbide plate1

Plât silicon carbid bondio silicon nitrid

Mae WeiTai Energy Technology Co, Ltd yn gyflenwr blaenllaw o serameg lled-ddargludyddion uwch a'r unig wneuthurwr yn Tsieina sy'n gallu darparu serameg carbid silicon purdeb uchel ar yr un pryd (yn enwedig y SiC Recrystallized) a cotio CVD SiC.Yn ogystal, mae ein cwmni hefyd wedi ymrwymo i feysydd ceramig megis alwmina, nitrid alwminiwm, zirconia, a nitrid silicon, ac ati.

Ein prif gynnyrch gan gynnwys: disg ysgythru carbid silicon, tynnu cwch carbid silicon, cwch wafferi carbid silicon (Ffotofoltäig a Lled-ddargludydd), tiwb ffwrnais carbid silicon, padl cantilifer carbid silicon, chucks carbid silicon, trawst carbid silicon, yn ogystal â'r cotio CVD SiC a TaC cotio.Y cynhyrchion a ddefnyddir yn bennaf yn y diwydiannau lled-ddargludyddion a ffotofoltäig, megis offer ar gyfer twf grisial, epitacsi, ysgythru, pecynnu, cotio a ffwrneisi tryledu, ac ati.

Mae gan ein cwmni'r offer cynhyrchu cyflawn fel mowldio, sintro, prosesu, offer cotio, ac ati, a all gwblhau'r holl gysylltiadau angenrheidiol o gynhyrchu cynnyrch a chael rheolaeth uwch ar ansawdd y cynnyrch;Gellir dewis y cynllun cynhyrchu gorau posibl yn unol ag anghenion y cynnyrch, gan arwain at gost is a darparu cynhyrchion mwy cystadleuol i gwsmeriaid;Gallwn amserlennu cynhyrchiad yn hyblyg ac yn effeithlon yn seiliedig ar ofynion danfon archeb ac ar y cyd â systemau rheoli archebion ar-lein, gan ddarparu amser dosbarthu cyflymach a mwy gwarantedig i gwsmeriaid.