Tiwb ffwrnais silicon carbidmae ganddi gryfder uchel, caledwch uchel, ymwrthedd gwisgo da, ymwrthedd tymheredd uchel, ymwrthedd cyrydiad, ymwrthedd gwres da a gwrthsefyll sioc, dargludedd thermol mawr, ymwrthedd ocsideiddio da a swyddogaethau rhagorol eraill, a ddefnyddir yn bennaf mewn castio amledd canolig, ffwrnais trin gwres amrywiol, meteleg , diwydiant cemegol, ymarfer corff metel anfferrus a galwedigaethau eraill.
Nodweddiontiwbiau ffwrnais carbid silicon
Tiwb ffwrnais silicon carbidyw silicon carbide fel y prif ddeunydd crai, rhagorolcynhyrchion silicon carbida wneir gan danio tymheredd uchel, gydag ymwrthedd tymheredd uchel, dargludedd thermol cyflym, cryfder uchel, caledwch uchel, ymwrthedd gwisgo da, ymwrthedd gwres da a gwrthiant daeargryn, dargludedd thermol da, ymwrthedd ocsideiddio da a swyddogaethau rhagorol eraill ar ddau ben y gosodiad o gorchudd inswleiddio tymheredd uchel arbennig.Gall osgoi cyrydiad hydoddiant metel yn effeithiol ar elfennau gwresogi trydan (gan gynnwys gwiail silicon, gwifrau ffwrnais gwresogi trydan, ac ati), ac mae gan brif gymhwysiad tiwbiau amddiffynnol carbid silicon gyda gwahanol ddangosyddion yn well na rhai cynhyrchion graffit amrywiol ddargludedd thermol, ymwrthedd ocsideiddio, ymwrthedd sioc gwres, a gwrthsefyll tymheredd uchel
Technoleg gweithgynhyrchu tiwb ffwrnais carbid silicon
Y cynnyrch yw silicon carbid fel y prif ddeunydd crai, trwy'r broses arbennig o rostio tymheredd uchel o gynhyrchion carbid silicon rhagorol, gellir addasu'r safon hyd yn unol ag anghenion gwirioneddol cwsmeriaid.
Y defnydd cyntaf otiwbiau ffwrnais carbid silicon
Defnyddir yn helaeth mewn hyfforddiant metel anfferrus, system degassing cynhyrchion alwminiwm, peiriannau argraffu a lliwio, hyfforddiant sinc ac alwminiwm a phrosesu cynnyrch a galwedigaethau eraill.
Datblygiad diwydiannol tiwb ffwrnais carbid silicon
Mae gan diwb ffwrnais silicon carbid nodweddion rhwystriant mewnbwn uchel, sŵn isel, llinoledd da, ac ati Mae'n un o'r dyfeisiau carbid silicon sy'n datblygu'n gyflym ar hyn o bryd, ac mae wedi'i fasnacheiddio yn gyntaf.O'i gymharu â chydrannau MOSFET, nid oes gan gydrannau JFET y problemau dibynadwyedd a achosir gan ddiffygion haen ocsigen giât a chyfyngiad symudedd cludwyr isel, a chynnal gallu gweithredu amledd uchel da oherwydd nodweddion gweithredu unipolar.Yn ogystal, mae gan ddyfeisiau JFET sefydlogrwydd gweithredu da a dibynadwyedd ar dymheredd uchel.Oherwydd strwythur electrod giât y ddyfais JFET carbid silicon, mae foltedd trothwy'r JFET fel arfer yn negyddol, hynny yw, mae dyfeisiau mwy cyffredin, sy'n hynod anffafriol i'w gymhwyso ym maes electroneg pŵer, ac mae'n yn anghydnaws â'r gylched gyriant cyffredinol cyfredol.Trwy gyflwyno'r dechnoleg dyfais o chwistrelliad rhigol neu strwythur rhigol mesa, datblygir y ddyfais well gyda chyflwr gweithredu arferol.Fodd bynnag, gan fod y dyfeisiau gwell yn cael eu ffurfio'n bennaf ar gost rhai nodweddion ymwrthedd pen blaen, mae'n hawdd cyflawni dwysedd pŵer uwch a chynhwysedd cyfredol y toriad cyson (math disbyddu) JFET, a'r dull o gysylltu'r disbyddiad. dyfeisiau JFET math i'r gadwyn uchaf rhaeadru yn cael ei gyflawni drwy gysylltu foltedd isel MOSFETs dosbarth Si mewn cyfres.Mae cylched gyrru dyfais JFET rhaeadru yn naturiol gydnaws â chylched gyrru dyfais silicon pwrpas cyffredinol.Mae'r strwythur rhaeadru yn addas iawn ar gyfer sefyllfaoedd foltedd uchel ac allbwn uchel, yn hytrach na dyfeisiau IGBT silicon traddodiadol, gan osgoi problem cydnawsedd y cylched gyrru yn uniongyrchol.
Mae manteision carbid silicon fel a ganlyn.
1, mae'r swyddogaeth trosglwyddo gwres yn dda, mae wal y tiwb yn denau (dim ond ychydig filimetrau), mae ymateb newid tymheredd y cynnyrch yn gynnes iawn;
2, heb ei effeithio gan cyrydu
3, nid yw tymheredd uchel yn hydoddi, hylif metel yn rhydd o lygredd;
4, gellir ei ddefnyddio i ddiddymu sodiwm a strontiwm aloi cyfoethog;
5, nid yw ymddangosiad y cynnyrch ynghlwm wrth y slag, mae'r amddiffyniad yn syml iawn;
6, ymwrthedd tymheredd uchel 1600;
7. cryf sioc thermol ymwrthedd
8, caledwch uchel, nid yw'n hawdd ei dorri
9 Cost-effeithiol, bywyd mewn mwy na hanner blwyddyn.
Yr uchod yw nodweddion perfformiad tiwb ffwrnais carbid silicon, os oes angen i chi wybod mwy, gallwch chi deimlo'n rhydd i gysylltu â ni!
Amser postio: Awst-24-2023