Tiwb ffwrnais silicon carbidmae ganddo fanteision cryfder uchel, caledwch uchel, ymwrthedd gwisgo da, ymwrthedd tymheredd uchel, ymwrthedd cyrydiad, ymwrthedd sioc thermol da, dargludedd thermol uchel, ymwrthedd ocsideiddio da ac yn y blaen. Defnyddir yn bennaf mewn castio amledd canolig, ffwrnais trin gwres amrywiol, meteleg, diwydiant cemegol, gofannu metel anfferrus a galwedigaethau eraill.Tiwb ffwrnais silicon carbidyn cael ei ddefnyddio'n helaeth mewn ffwrnais sintering metelegol a ffwrnais castio gwresogi amledd canolig, a gellir addasu ei hyd yn unol ag anghenion gwirioneddol y safle.
Nodweddiontiwbiau ffwrnais carbid silicon
Mae tiwb ffwrnais silicon carbid yn gynnyrch ardderchog o garbid silicon wedi'i sinteru ar dymheredd uchel gyda charbid silicon fel prif ddeunydd crai. Mae ganddo fanteision ymwrthedd tymheredd uchel, ymwrthedd cyrydiad, dargludedd thermol cyflym, cryfder uchel, caledwch uchel, ymwrthedd gwisgo da, ymwrthedd sioc thermol da, dargludedd thermol mawr, ymwrthedd ocsideiddio da ac ati. Mae gan y ddau ben llwyni inswleiddio tymheredd uchel arbennig, gellir osgoi cyrydiad hydoddiant metel i elfennau gwresogi trydan (gan gynnwys gwialen carbid silicon, gwifren ffwrnais drydan, ac ati) yn effeithiol, ac mae'r dangosyddion yn well na phob math o gynhyrchion graffit. . Mae gan y tiwb ffwrnais carbid silicon ddargludedd thermol, ymwrthedd ocsideiddio, ymwrthedd sioc thermol, ymwrthedd gwisgo tymheredd uchel, sefydlogrwydd cemegol da, ymwrthedd asid cryf, dim adwaith i asid cryf ac alcali.
Tiwb ffwrnais silicon carbidtechnoleg cynhyrchu: mae'r cynnyrch gorffenedig yn cymryd carbid silicon fel y prif ddeunydd crai, ac mae'n gynnyrch gorffenedig carbid silicon rhagorol sy'n cael ei danio gan dechnoleg arbennig ar dymheredd uchel. Gellir addasu'r safon hyd yn unol ag anghenion gwirioneddol cwsmeriaid. Y prif ddefnyddiau o tiwb ffwrnais silicon carbid: a ddefnyddir yn eang mewn hyfforddiant metel anfferrus, system degasing cynhyrchion alwminiwm, peiriannau argraffu a lliwio, hyfforddiant sinc ac alwminiwm a phrosesu cynnyrch gorffenedig.
Datblygiad diwydiannol carbid silicon
Mae gan silicon carbid nodweddion rhwystriant mewnbwn uchel, sŵn isel, llinoledd da, ac ati, yw un o'r ategolion carbid silicon sy'n datblygu'n gyflym, a'r cyntaf i gyflawni masnacheiddio. O'i gymharu â MOSFETs, nid oes unrhyw broblemau dibynadwyedd a achosir gan ddiffygion giât ocsid a chyfyngiadau symudedd cludwyr isel, ac mae ei nodweddion gweithredu unipolar yn cynnal gallu gweithredu amledd uchel da. Yn ogystal, mae gan y strwythur cyffordd carbid silicon well sefydlogrwydd a dibynadwyedd ar dymheredd uchel fel bod y foltedd trothwy fel arfer yn negyddol, hynny yw, y ddyfais agored fel arfer, sy'n hynod anffafriol ar gyfer cymwysiadau electroneg pŵer, ac nid yw'n gydnaws â'r cyffredin cyfredol cylched gyrru. Trwy gyflwyno'r dechnoleg o ddyfais chwistrellu rhigol, datblygir y ddyfais well o dan y cyflwr arferol. Fodd bynnag, mae dyfeisiau gwell yn aml yn cael eu ffurfio ar draul rhai nodweddion gwrth-ymwrthedd cadarnhaol, felly mae agor fel arfer (math disbyddu) yn haws i gyflawni dwysedd pŵer uwch a chynhwysedd cyfredol, a gellir cyflawni math disbyddu trwy raeadru fel arfer oddi ar y cyflwr gweithredu. Gweithredir y dull rhaeadru trwy gyfres o MOSFETs foltedd isel sy'n seiliedig ar silicon. Mae'r gylched gyriant rhaeadru yn naturiol yn gydnaws â chylched gyriant dyfais silicon pwrpas cyffredinol. Mae'r strwythur rhaeadru hwn yn addas iawn ar gyfer disodli'r silicon gwreiddiol mewn achlysuron foltedd uchel a phŵer uchel, ac mae'n osgoi problem cydnawsedd y cylched gyrru yn uniongyrchol.
Amser post: Medi-25-2023